[发明专利]一种薄膜晶体管、显示面板以及显示装置

说明书

本申请实施例涉及一种薄膜晶体管、显示面板以及显示装置，薄膜晶体管包括基板；栅极，叠置于基板；绝缘层，叠置于栅极；防护层，叠置于绝缘层，防护层绝缘；漏极；源极，源极与漏极之间具有间隙，防护层于间隙处背向基板的一表面平坦；半导体层，叠置于防护层，且半导体层填充间隙，半导体层分别与漏极和源极电连接。通过在薄膜晶体管中增设防护层，防护层于源极和漏极之间的的间隙处背向基板的一表面平坦，半导体层填充于间隙，即防护层与半导体层接触的界面平坦，则一方面可改善薄膜晶体管在形成源极和漏极时对绝缘层的过刻蚀，另一方面防护层与半导体层接触的界面平坦，薄膜晶体管的电学性能优良，薄膜晶体管性能可控且稳定。

技术领域

本发明实施例涉及显示装置技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管、显示面板以及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管(TFT)是有源矩阵显示器件中一个非常重要的半导体器件。薄膜晶体管一般包括半导体层、源极、栅极和漏极。其中，源极和漏极分别与半导体层电连接。在栅极施加电压，当电压达到一定条件时，源极和栅极将导通。即，薄膜晶体管可利用电信号来控制自身的开合。另外，薄膜晶体管具有厚度薄、体积小、开关速度快等优点，薄膜晶体管被广泛应用。薄膜晶体管的栅极和源极，或者，栅极和漏极之间通过绝缘层进行绝缘。普遍的薄膜晶体管包括顶栅结构、背沟道结构和底栅结构。其中，薄膜晶体管的基板作为薄膜晶体管的承载体，是最先形成的。底栅结构中，栅极靠近基板，源极和漏极远离基板，栅极和源极之间，或者栅极和漏极之间设置绝缘层。

本发明的发明人在实现本发明的过程中，发现：目前，具有底栅结构的薄膜晶体管，绝缘层形成于栅极，源极和漏极形成于绝缘层，在形成源极和漏极的过程为在绝缘层上形成电极层，然后对电极层进行图案化处理形成源极、漏极，以及源极和漏极之间的间隙，由于图案化处理的工艺限制，必然会出现对绝缘层进行过刻蚀，从而使得绝缘层于间隙处穿孔或者绝缘层于间隙处的表面粗糙，进而影响薄膜晶体管的器件性能。

发明内容

鉴于上述问题，本申请实施例提供了一种薄膜晶体管、显示面板以及显示装置，克服了上述问题或者至少部分地解决了上述问题。

根据本申请实施例的一个方面，提供了一种薄膜晶体管，包括：基板；栅极，叠置于所述基板；绝缘层，叠置于所述栅极；防护层，叠置于所述绝缘层，所述防护层绝缘；漏极，至少部分叠置于所述防护层；源极，至少部分叠置于所述防护层，所述源极与所述漏极之间具有间隙，所述防护层于所述间隙处背向所述基板的一表面平坦；半导体层，叠置于所述防护层，且所述半导体层填充所述间隙。

根据本申请实施例的一个方面，提供了一种显示面板，包括：上述的薄膜晶体管；阳极，与所述薄膜晶体管的漏极电连接；像素定义层，叠置于所述阳极，所述像素定义层设置像素口，以使所述阳极于所述像素口处裸露；支撑层，叠置于所述像素定义层。

根据本申请实施例的一个方面，提供了一种显示装置，包括上述的显示面板。

根据本申请实施例的一个方面，提供了一种制作薄膜晶体管的方法，包括：在基板上形成依次形成栅极和绝缘层；在所述绝缘层上形成过渡层；形成电极层；对所述电极层进行图案化处理，获得漏极、源极，以及漏极和源极之间的间隙，其中，所述漏极和源极均至少部分叠置于所述过渡层；于所述间隙处，对所述过渡层远离所述基板的一表面进行平坦化处理，形成防护层；在所述防护层上形成半导体层，其中，所述半导体层填充所述间隙。