[发明专利]一种薄膜晶体管、显示面板以及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

基板；

栅极，叠置于所述基板；

绝缘层，叠置于所述栅极；

防护层，叠置于所述绝缘层，所述防护层绝缘；

漏极；

源极，所述源极与所述漏极之间具有间隙，所述防护层于所述间隙处背向所述基板的一表面平坦；

半导体层，叠置于所述防护层，且所述半导体层填充所述间隙，所述半导体层分别与所述漏极和源极电连接。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括过渡层，所述过渡层叠置于所述绝缘层并与所述防护层并列，所述过渡层设置通孔，所述通孔与所述间隙相对应，所述防护层位于所述通孔。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括过渡层，所述过渡层叠置于所述绝缘层，所述防护层叠置于所述过渡层，所述防护层对应于所述间隙处设置。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述漏极和所述源极中至少一个至少部分叠置于所述防护层，

或者，

所述漏极和所述源极均与所述防护层在正投影方向上不重合。

5.根据权利要求2或3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述过渡层包括非晶硅，所述防护层包括非晶硅的氧化物。

6.根据权利要求1-4任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括屏蔽层，所述屏蔽层叠置于所述基板，所述栅极叠置于所述屏蔽层。

7.根据权利要求1-4任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括钝化层和平坦化层；

所述钝化层和平坦化层依次叠置于所述漏极、半导体层和源极；

所述平坦化层远离所述基板的一表面与所述基板远离所述平坦化层的一表面平行。

8.根据权利要求1-4任意一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括电容，所述电容叠置于所述基板，所述电容与所述源极或者漏极电连接。

9.一种显示面板，其特征在于，包括：

如权利要求1-8中任意一项所述的薄膜晶体管；

阳极，与所述薄膜晶体管的漏极电连接；

像素定义层，叠置于所述阳极，所述像素定义层设置像素口，以使所述阳极于所述像素口处裸露；

支撑层，叠置于所述像素定义层。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示面板。

11.一种制作薄膜晶体管的方法，其特征在于，包括：

在基板上依次形成栅极和绝缘层；

在所述绝缘层上形成过渡层；

形成电极层；

对所述电极层进行图案化处理，获得漏极、源极，以及漏极和源极之间的间隙；

于所述间隙处，对所述过渡层远离所述基板的一表面进行平坦化处理，形成防护层；

在所述防护层上形成半导体层，其中，所述半导体层填充所述间隙，所述半导体层分别与所述漏极和源极电连接。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述过渡层包括非晶硅，所述防护层包括非晶硅的氧化物，所述于所述间隙处，对所述过渡层远离所述基板的一表面进行平坦化处理，形成防护层的步骤，进一步包括：

于所述间隙处，对所述过渡层进行氧化处理形成所述防护层。

13.根据权利要求11或12任意一项所述的方法，其特征在于，所述于所述间隙处，对所述过渡层远离所述基板的一表面进行平坦化处理，形成防护层的步骤之前，所述方法还包括：

于所述间隙处，使用臭氧和/或氢氟酸对所述过渡层进行清洁。