[发明专利]一种偏光片保护膜用基膜制备工艺及设备

权利要求书

1.一种偏光片保护膜用基膜制备工艺及设备，包括模头（1）、输料管线（2）、计量挤出机（3）、过滤器（4）、混合容器（5）、直流电机（6）、电子元件（7）、控制系统（8）、计量泵（9）、聚酯铸片（10）、进入拉伸进料管线（11）、第一流延辊（12）、第二流延辊（13）、第三流延辊（14）、第一预热辊（15）、第二预热辊（16）、第三预热辊（17）、第四预热辊（18）、慢速辊（19）、快速辊（20）、第一热处理辊（21）、第二热处理辊（22）、张力辊（23）和拉伸成型基膜（24），其特征在于，所述模头（1）、计量挤出机（3）、过滤器（4）、混合容器（5）和计量泵（9）均安装在机架上，所述模头（1）、计量挤出机（3）、过滤器（4）、混合容器（5）和计量泵（9）之间通过输料管线（2）进行连接连接，其中，

所述直流电机（6）、电子元件（7）和控制系统（8）亦安装在机架上，所述直流电机（6）、电子元件（7）和控制系统（8）通过数据导线连接，所述第一流延辊（12）、第二流延辊（13）、第三流延辊（14）、第一预热辊（15）、第二预热辊（16）、第三预热辊（17）、第四预热辊（18）、慢速辊（19）、快速辊（20）、第一热处理辊（21）、第二热处理辊（22）和张力辊（23）均安装在机架上；

所述第一流延辊（12）、第二流延辊（13）、第三流延辊（14）、第一预热辊（15）、第二预热辊（16）、第三预热辊（17）、第四预热辊（18）、慢速辊（19）、快速辊（20）、第一热处理辊（21）、第二热处理辊（22）和张力辊（23）通过聚酯铸片（10）与拉伸成型基膜（24）进行连接；

制备工艺依次包括以下步骤：

a1.进行原材料配比：选取母料、偶联剂和无机纳米级添加剂，其母料、偶联剂和无机纳米级添加剂所占的比例为90:4：6；

a2.原材料的品种或根据基膜的用途进行选择，通过控制系统（8）来调节直流电机（6）和混合容器（5）中的螺旋杆来调节转速的比例，控制各自的加料量，为了避免铸片厚度在冷成型或粘结时、电子元件（7）发出信号，可以使铸片分层运行，这样可以减少晶点，还可以通过控制系统（8）来调节物料的配比；

a3.由原材料按配比混合后进行结晶干燥，再进入挤出系统熔挤成聚酯铸片10；

a4.聚酯铸片（10）进入拉伸进料管线（11），并通过进入拉伸进料管线（11）进入纵拉伸系统，经过第一流延辊（12）、第二流延辊（13）、第三流延辊（14）、第一预热辊（15）、第二预热辊（16）、第三预热辊（17）、第四预热辊（18）、慢速辊（19）、快速辊（20），半成型聚酯薄膜，拉伸出来的本成型薄膜在张力辊（23）在作用下进入横拉伸系统，经过各区温度，热定型最终形成拉伸成型基膜（24）；

A5.成型后的聚酯薄膜通过切边、测厚、电晕处理后，便进行收卷和分切，经检验合格后成品入库。

2.根据权利要求1所述的一种偏光片保护膜用基膜制备工艺及设备，其特征在于：所述母料选为FG611、聚偏二氯乙烯、聚甲酯丙烯酸甲酯、聚酯酸树脂、聚氨酯丙烯酸脂的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的一种偏光片保护膜用基膜制备工艺及设备，其特征在于：所述偶联剂为钛酸酯偶联剂TMC-201、钛酸酯偶联剂TMC-102、钛酸酯偶联剂TMC-114、钛酸酯偶联剂TMC-TTS的任一种。

4.根据权利要求1所述的一种偏光片保护膜用基膜制备工艺及设备，其特征在于：所述无机纳米级添加剂为CaCO₃、SiO₂、AI₂O₃、TiO₂、ZnO的一种或几种。

5.根据权利要求1所述的一种偏光片保护膜用基膜制备工艺及设备，其特征在于：所述偏光片保护膜用基膜在1000级洁净环境下加工，洁净度极优，实施分子角控制，在线观测薄膜中分子链的取向状态，并进行控制产品的性能。