[发明专利]垂直半导体装置及其制造方法

说明书

本申请涉及垂直半导体装置及其制造方法。一种用于制造半导体装置的方法包括：在具有互连件的下结构上方形成源极结构；形成第一接触插塞和第一牺牲焊盘，该第一接触插塞贯穿源极结构以联接至互连件，该第一牺牲焊盘贯穿源极结构并且与第一接触插塞间隔开；形成覆盖第一牺牲焊盘、第一接触插塞和源极结构的上结构；形成第二接触插塞，该第二接触插塞贯穿上结构并接触第一接触插塞；形成第二牺牲焊盘，该第二牺牲焊盘贯穿上结构以接触第一牺牲焊盘并且与第二接触插塞间隔开；以及用介电支撑件代替第一牺牲焊盘和第二牺牲焊盘。

技术领域

本发明的示例性实施方式涉及半导体装置，并且更具体地，涉及垂直半导体装置。

背景技术

诸如三维(3D)NAND之类的半导体装置包括在沟道的高度方向上布置的多个存储器单元，该沟道作为柱型沟道，在高度方向上延伸，覆盖有存储器层。

发明内容

根据本发明的实施方式，一种用于制造半导体装置的方法包括：在具有互连件的下结构上方形成源极结构；形成第一接触插塞和第一牺牲焊盘，该第一接触插塞贯穿源极结构以联接至互连件，该第一牺牲焊盘贯穿源极结构并且与第一接触插塞间隔开；形成覆盖第一牺牲焊盘、第一接触插塞和源极结构的上结构；形成第二接触插塞，该第二接触插塞贯穿上结构并接触第一接触插塞；形成第二牺牲焊盘，该第二牺牲焊盘贯穿上结构以接触第一牺牲焊盘并且与第二接触插塞间隔开；以及用介电支撑件代替第一牺牲焊盘和第二牺牲焊盘。

根据本发明的另一实施方式，一种用于制造半导体装置的方法包括：在包括互连件的下结构上方形成源极结构；形成第一接触插塞，该第一接触插塞贯穿源极结构以联接到互连件；形成第一线型牺牲焊盘，该第一线型牺牲焊盘贯穿源极结构并与第一接触插塞间隔开；在第一线型牺牲焊盘、第一接触插塞和源极结构上方形成介电层和牺牲层的交替层叠物；形成第二接触插塞，该第二接触插塞贯穿交替层叠物并接触第一接触插塞；形成第二线型牺牲焊盘，该第二线型牺牲焊盘与第二接触插塞间隔开以贯穿交替层叠物并接触第一线型牺牲焊盘；用线型支撑件代替第一线型牺牲焊盘和第二线型牺牲焊盘；形成贯穿交替层叠物和源极结构的牺牲源极层的多个沟道结构，所述多个沟道结构形成为与线型支撑件间隔开；以及用栅极代替交替层叠物的牺牲层。

根据本发明的又一实施方式，一种用于制造半导体装置的方法包括：在具有互连件的下结构上方形成源极结构；在源极结构上方形成多个介电层和多个牺牲层的交替层叠物；形成线型支撑件，该线型支撑件将交替层叠物划分成第一交替层叠物和第二交替层叠物；以及用栅极代替第一交替层叠物的牺牲层，其中，在用栅极代替第一交替层叠物的牺牲层时，不代替第二交替层叠物的牺牲层。

根据本发明的再一实施方式，一种半导体装置包括：下结构，该下结构具有互连件；源极结构，该源极结构具有彼此间隔开的第一源极层叠物和第二源极层叠物，源极结构位于下结构上方；第一交替层叠物，该第一交替层叠物具有多个栅极，该第一交替层叠物位于第一源极层叠物上方；第二交替层叠物，该第二交替层叠物具有处于与栅极相同的水平处的多个栅极水平介电层，该第二交替层叠物位于第二源极层叠物上方；线型支撑件，该线型支撑件位于第一交替层叠物和第二交替层叠物之间；以及接触结构，该接触结构贯穿第二交替层叠物和第二源极层叠物以联接到互连件。

附图说明

图1A是例示了根据本发明的实施方式的半导体装置的布局。

图1B是沿着图1A的线A-A′截取的截面图。

图1C是沿着图1A的线B-B′截取的截面图。

图1D是沿着图1A的线C-C′截取的截面图。

图2A和图2B例示了根据本发明的另一实施方式的半导体装置。

图3至图19例示了根据本发明的实施方式的用于制造半导体装置的方法的示例。

图20至图23例示了根据本发明的实施方式的用于制造半导体装置的方法的另一示例。

具体实施方式