[发明专利]垂直半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：

在具有互连件的下结构上方形成源极结构；

形成第一接触插塞和第一牺牲焊盘，该第一接触插塞贯穿所述源极结构以联接至所述互连件，该第一牺牲焊盘贯穿所述源极结构并且与所述第一接触插塞间隔开；

形成覆盖所述第一牺牲焊盘、所述第一接触插塞和所述源极结构的上结构；

形成贯穿所述上结构并与所述第一接触插塞接触的第二接触插塞；

形成第二牺牲焊盘，该第二牺牲焊盘贯穿所述上结构以与所述第一牺牲焊盘接触并且与所述第二接触插塞间隔开；以及

用介电支撑件代替所述第一牺牲焊盘和所述第二牺牲焊盘。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一牺牲焊盘的宽度大于所述第二牺牲焊盘的宽度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一牺牲焊盘和所述第二牺牲焊盘包括相对于所述上结构具有蚀刻选择性的材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述上结构包括氧化硅和氮化硅的交替层叠物，并且

其中，所述第一牺牲焊盘包括相对于所述氧化硅和所述氮化硅具有蚀刻选择性的材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一接触插塞和所述第一牺牲焊盘包括钨。

6.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：

形成接触孔，该接触孔贯穿所述源极结构以暴露出所述互连件的上表面；以及

形成牺牲开口，该牺牲开口贯穿所述源极结构以暴露出所述下结构，

其中，所述第一接触插塞填充所述接触孔，并且所述第一牺牲焊盘填充所述牺牲开口。

7.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括以下步骤：

形成暴露出所述互连件的上表面的接触孔；以及

对所述源极结构进行蚀刻，以形成彼此间隔开的线型开口和孔型开口，

其中，所述第一接触插塞填充所述接触孔，并且

其中，所述第一牺牲焊盘包括填充所述线型开口的线型牺牲焊盘和填充所述孔型开口的柱型牺牲焊盘。

8.一种用于制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：

在包括互连件的下结构上方形成具有牺牲源极层的源极结构；

形成贯穿所述源极结构以联接到所述互连件的第一接触插塞；

形成贯穿所述源极结构并与所述第一接触插塞间隔开的第一线型牺牲焊盘；

在所述第一线型牺牲焊盘、所述第一接触插塞和所述源极结构上方形成介电层和牺牲层的交替层叠物；

形成贯穿所述交替层叠物并与所述第一接触插塞接触的第二接触插塞；

形成第二线型牺牲焊盘，该第二线型牺牲焊盘与所述第二接触插塞间隔开以贯穿所述交替层叠物并与所述第一线型牺牲焊盘接触；

用线型支撑件代替所述第一线型牺牲焊盘和所述第二线型牺牲焊盘；

形成贯穿所述交替层叠物和所述源极结构的所述牺牲源极层的多个沟道结构，所述多个沟道结构被形成为与所述线型支撑件间隔开；以及

用栅极代替所述交替层叠物的所述牺牲层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述交替层叠物包括单元阵列区域和接触区域，

其中，所述多个沟道结构中的沟道结构贯穿所述单元阵列区域，并且所述线型支撑件贯穿所述接触区域，并且

其中，所述接触区域还包括从所述交替层叠物的所述单元阵列区域延伸的阶梯状结构。

10.根据权利要求9所述的方法，该方法还包括以下步骤：

形成贯穿所述阶梯状结构的多个柱型支撑件。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述线型支撑件包括介电材料。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一线型牺牲焊盘和所述第二线型牺牲焊盘包括相对于所述介电层和所述牺牲层具有蚀刻选择性的材料。