[发明专利]一种高导热硅胶绝缘片制作工艺在审

专利信息
申请号: 202110358134.0 申请日: 2021-04-01
公开(公告)号: CN113088205A 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 范国强;刘艳涛;李宏强 申请(专利权)人: 固德威电源科技(广德)有限公司
主分类号: C09J7/10 分类号: C09J7/10;C09J7/30;C09J183/04;C09J11/04
代理公司: 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 代理人: 张恩慧
地址: 242200 安徽省宣*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 导热 硅胶 绝缘 制作 工艺
【权利要求书】:

1.一种高导热硅胶绝缘片制作工艺,其特征在于,所述制造工艺包括以下步骤:

S1:将制作所需绝缘片的多组份胶体进行均匀搅拌得到混合胶体;

S2:将缠绕膜贴附在治具面上;

S3:将步骤S1所述混合胶体倒入治具中;

S4:对治具中胶水进行刮平;

S5:将刮平胶水后的治具中放入高温烘箱进行烘烤固化形成绝缘片;

S6:将烘烤绝缘片与治具进行分离。

2.根据权利要求1所述的一种高导热硅胶绝缘片制作工艺,其特征在于,所述步骤S1搅拌采用等比例逐步加料,先按照配比先添加50%的物料搅拌充分后,在依次添加10%的物料进行充分搅拌直至全部添加完成后继续搅拌10分钟。

3.根据权利要求1所述的一种高导热硅胶绝缘片制作工艺,其特征在于,所述步骤S5烘烤固化采用阶梯性的升温的方式进行。

4.根据权利要求2所述的一种高导热硅胶绝缘片制作工艺,其特征在于,所述步骤S4中胶水进行刮平后厚度为2mm,步骤S5烘烤固化的温度依次为45℃烘烤5min后升温至50℃烘烤5min,最后升温至60℃进行烘烤20min。

5.根据权利要求1所述的一种高导热硅胶绝缘片制作工艺,其特征在于,所述步骤S2中缠绕膜厚度为0.02mm。

6.根据权利要求2所述的一种高导热硅胶绝缘片制作工艺,其特征在于,所述步骤S1进搅拌使添加有下列添加物料:导热填料、石墨粉。

7.根据权利要求6所述的一种高导热硅胶绝缘片制作工艺,其特征在于,所述导热填料可以为铜粉或银粉。

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