[发明专利]彩膜缺陷的测高方法、设备及介质

说明书

本发明公开了一种彩膜缺陷的测高方法、设备及介质，所述方法包括：获取缺陷区域对应的缺陷标识；根据所述缺陷标识调整所述缺陷区域的测高补偿参数；根据所述测高补偿参数以及缺陷区域中心坐标信息确定测高基准面；根据所述测高基准面对所述缺陷区域进行测高以确定缺陷高度。解决了现有技术中彩膜缺陷区域测高不准确的技术问题，达到了提高彩膜缺陷区域的测高准确性的效果。

技术领域

本发明涉及面板制造的领域，尤其涉及一种彩膜缺陷的测高方法、设备及计算机可读存储介质。

背景技术

彩膜缺陷的研磨修补机台是TFT-LCD产业中彩膜(CF)制程中重要的设备，它主要是通过测高研磨等一些手法对缺陷进行修补，使基板达进入下一流程的标准，因此彩膜的研磨修补机台的测高精准性对TFT-LCD产业中提高产能及生产良率起到了重要作用。

当前彩膜缺陷的测高设备的缺陷测高流程根据前站提供的缺陷坐标移动至缺陷，使用固定长度作为基准面对缺陷进行测高的，若缺陷的高度超过设定的标准值，测设备对其进行研磨或者镭射，将缺陷的高度降至标准高度以下，在此修补的过程中，通常会设定修补完成后设备拍缺陷的反射与透射图传送至人员判定或者电脑判等级判回机台重新修补。测高过程中，每个基板的缺陷区域面积不同，在缺陷变形区域太大的情况下，由于按照距离缺陷中心固定长度的区域作为测高基准面的，若缺陷区域过大则会导致测高的基准面处于变形区域，从而导致缺陷区域测高不准确。

发明内容

本申请实施例通过提供一种彩膜缺陷的测高方法、设备及计算机可读存储介质，旨在解决现有技术中彩膜缺陷区域测高不准确的技术问题。

为实现上述目的，本申请实施例提供了一种彩膜缺陷的测高方法，所述彩膜缺陷的测高方法包括以下步骤：

获取缺陷区域对应的缺陷标识；

根据所述缺陷标识调整所述缺陷区域的测高补偿参数；

根据所述测高补偿参数以及缺陷区域中心坐标信息确定测高基准面；

根据所述测高基准面对所述缺陷区域进行测高以确定缺陷高度。

可选地，所述测高补偿参数包括与测高行径方向平行的第一测高补偿参数以及与所述测高行径方向垂直的第二测高补偿参数。

可选地，所述获取缺陷区域对应的缺陷标识的步骤，之前还包括：

获取所述缺陷区域的面积信息以及所述缺陷区域的中心坐标信息；

根据所述缺陷区域的面积信息以及所述缺陷区域的中心坐标信息确定缺陷标识，保存所述缺陷标识；

关联所述缺陷标识与所述测高补偿参数；

其中，在接收到测高指令时，获取所述缺陷区域对应的缺陷标识。

可选地，所述根据所述测高补偿参数以及缺陷区域中心坐标信息确定测高基准面的步骤包括：

根据所述测高补偿参数以及缺陷区域中心坐标信息确定所述缺陷区域的测高区域，其中，所述缺陷区域的测高区域是以所述缺陷区域的中心坐标为中心，以所述第一测高补偿参数以及所述第二测高补偿参数为边长所围成的矩形区域；

根据所述缺陷区域的测高区域确定所述测高基准面，其中，所述测高基准面为缺陷区域的测高区域之外的区域。

可选地，所述根据所述测高基准面对所述缺陷区域进行测高以确定缺陷高度的步骤包括：

获取测高基准面的平均高度以及缺陷区域的最高高度，所述测高基准面的平均高度根据测高传感器的平均下压高度与待机下压高度确定；

根据所述测高基准面的平均高度以及缺陷区域的最高高度确定缺陷高度。

可选地，所述获取测高基准面的平均高度的步骤包括：