[发明专利]一种光学器件的芯片焊接状态检测方法在审
申请号: | 202110352505.4 | 申请日: | 2021-03-31 |
公开(公告)号: | CN113281008A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 吴仁宝 | 申请(专利权)人: | 昂纳信息技术(深圳)有限公司 |
主分类号: | G01M11/02 | 分类号: | G01M11/02 |
代理公司: | 深圳市道臻知识产权代理有限公司 44360 | 代理人: | 陈琳 |
地址: | 518000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光学 器件 芯片 焊接 状态 检测 方法 | ||
1.一种光学器件的芯片焊接状态检测方法,光学器件包括壳体、电路板和芯片,其特征在于,所述芯片焊接状态检测方法的步骤包括:
步骤S10、记录芯片的第一波长;
步骤S20、将芯片和电路板焊接,且电路板固设在壳体上,形成光学器件,并获取光学器件的第二波长;
步骤S30、将第一波长和第二波长进行数据,通过数值差异评估芯片焊接状态。
2.根据权利要求1所述的芯片焊接状态检测方法,其特征在于,所述步骤S30的具体步骤包括:
步骤S31、将第一波长与第二波长进行数值比较;
步骤S32、若第一波长不小于第二波长,确定芯片焊接状态为正常状态,并给予通过。
3.根据权利要求2所述的芯片焊接状态检测方法,其特征在于,所述步骤S30的具体步骤还包括:
步骤S33、若第一波长小于第二波长,确定芯片焊接状态为异常状态,并不给予通过。
4.根据权利要求3所述的芯片焊接状态检测方法,其特征在于,所述步骤S30的具体步骤还包括:
步骤S341、设置光学器件的结温与波长变化的关系公式;
步骤S342、在第一波长小于第二波长时获取两者的波长差值,根据关系公式获取,结合波长差值获取当前光学器件的结温数据。
5.根据权利要求4所述的芯片焊接状态检测方法,其特征在于:所述关系公式为每1摄氏度温度变化产生0.3至0.35nm的波长变化。
6.根据权利要求1所述的芯片焊接状态检测方法,其特征在于:所述芯片和电路板经过回流焊进行焊接,所述电路板与壳体通过粘接方式进行固设;其中,在光学器件工作过程中,所述壳体为芯片或电路板导热。
7.根据权利要求1所述的芯片焊接状态检测方法,其特征在于,在步骤S20中,通过温度循环检测,获取光学器件的第二波长。
8.根据权利要求1所述的芯片焊接状态检测方法,其特征在于,步骤S10中,通过芯片的通用设置数据确定第一波长并记录;或者,对芯片进行仿真模拟获取实际第一波长并记录。
9.根据权利要求1至8任一所述的芯片焊接状态检测方法,其特征在于:所述光学器件为多模泵器件,所述芯片为多模泵光芯片。
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