[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置

说明书

一种显示基板，包括衬底、设置于衬底上的多个第一电极、第一像素界定层、第二像素界定层以及多个发光功能层。其中，第一像素界定层设置于衬底上，第一像素界定层具有多个第一开口，第一开口暴露第一电极的至少一部分，第一开口的侧壁向远离第一开口的中心的方向凹陷。第二像素界定层设置于第一像素界定层远离衬底的一侧，第二像素界定层具有多个第二开口，第二开口在衬底上的正投影与第一开口在衬底上的正投影至少部分重叠。第二开口靠近衬底的一端在衬底上的正投影的边界，位于第二开口远离衬底的一端在衬底上的正投影的边界之内。多个发光功能层位于多个第一电极远离衬底的一侧，一个发光功能层设置于一个第一开口内。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

随着量子点技术的发展，人们对量子点电致发光二极管(Quantum Dot LightEmitting Diodes，简称QLED)显示装置的研究日益深入，QLED显示装置的量子效率不断提升，已基本达到产业化的水平。

目前，采用喷墨打印(Ink-Jet Printing，简称IJP)技术形成发光功能层，以制备高分辨率的QLED显示装置已经成为领域内的发展趋势之一。

公开内容

一方面，提供一种显示基板，包括衬底、多个第一电极、第一像素界定层、第二像素界定层以及多个发光功能层。

其中，多个第一电极设置于所述衬底上。第一像素界定层设置于所述衬底上，所述第一像素界定层具有多个第一开口，第一开口暴露所述第一电极的至少一部分，所述第一开口的侧壁向远离所述第一开口的中心的方向凹陷。第二像素界定层设置于所述第一像素界定层远离所述衬底的一侧，所述第二像素界定层具有多个第二开口，第二开口在所述衬底上的正投影与所述第一开口在所述衬底上的正投影至少部分重叠。所述第二开口靠近所述衬底的一端在所述衬底上的正投影的边界，位于所述第二开口远离所述衬底的一端在所述衬底上的正投影的边界之内。多个发光功能层位于所述多个第一电极远离所述衬底的一侧，一个发光功能层设置于一个所述第一开口内。

在一些实施例中，沿垂直于所述衬底且远离所述衬底的方向，所述第一开口沿平行于所述衬底的平面方向的截面的面积，由小变大再由大变小。

在一些实施例中，所述第一像素界定层为疏液层。或，所述第一像素界定层包括第一基材层，以及至少覆盖所述第一基材层的侧壁的疏液层。

在一些实施例中，所述第一像素界定层包括无机纳米粒子，以及与无机纳米粒子结合的配体。其中，所述配体包括含氟基团。

在一些实施例中，所述第一像素界定层包括多个氧化硅纳米粒子，和/或，多个氮化硅纳米粒子。

在一些实施例中，所述配体包括氟原子、三氟甲基、六氟苯、十氟联苯或全氟乙烯中的至少一种。

在一些实施例中，沿垂直于所述衬底且远离所述衬底的方向，所述第二开口沿平行于所述衬底的平面方向的截面的面积逐渐变大。

在一些实施例中，所述第二开口靠近所述衬底的一端在所述衬底上的正投影的边界，位于所述第一开口远离所述衬底的一端在所述衬底上的正投影的边界之内。

在一些实施例中，所述第二像素界定层为亲液层。或，所述第二像素界定层包括第二基材层，以及至少覆盖所述第二基材层的侧壁的亲液层。

在一些实施例中，所述第二像素界定层包括正性光刻胶层。

在一些实施例中，所述第二开口的侧壁与所述第二像素界定层靠近所述衬底的表面之间的夹角范围为30°～75°。

在一些实施例中，所述第一像素界定层的厚度与所述第二像素界定层的厚度的比值范围为1～3。

在一些实施例中，所述第一电极和所述发光功能层的厚度的和，小于所述第一像素界定层的厚度。