[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
| 申请号: | 202110352002.7 | 申请日: | 2021-03-31 |
| 公开(公告)号: | CN115148917A | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
| 发明(设计)人: | 梅文海 | 申请(专利权)人: | 北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括:
衬底;
多个第一电极,设置于所述衬底上;
第一像素界定层,设置于所述衬底上;所述第一像素界定层具有多个第一开口,第一开口暴露所述第一电极的至少一部分;所述第一开口的侧壁向远离所述第一开口的中心的方向凹陷;
第二像素界定层,设置于所述第一像素界定层远离所述衬底的一侧;所述第二像素界定层具有多个第二开口,第二开口在所述衬底上的正投影与所述第一开口在所述衬底上的正投影至少部分重叠;所述第二开口靠近所述衬底的一端在所述衬底上的正投影的边界,位于所述第二开口远离所述衬底的一端在所述衬底上的正投影的边界之内;
多个发光功能层,位于所述多个第一电极远离所述衬底的一侧,一个发光功能层设置于一个所述第一开口内。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,沿垂直于所述衬底且远离所述衬底的方向,所述第一开口沿平行于所述衬底的平面方向的截面的面积,由小变大再由大变小。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一像素界定层为疏液层;或,
所述第一像素界定层包括第一基材层,以及至少覆盖所述第一基材层的侧壁的疏液层。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一像素界定层包括无机纳米粒子,以及与无机纳米粒子结合的配体;
其中,所述配体包括含氟基团。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述第一像素界定层包括多个氧化硅纳米粒子,和/或,多个氮化硅纳米粒子。
6.根据权利要求4或5所述的显示基板,其特征在于,所述配体包括氟原子、三氟甲基、六氟苯、十氟联苯或全氟乙烯中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,沿垂直于所述衬底且远离所述衬底的方向,所述第二开口沿平行于所述衬底的平面方向的截面的面积逐渐变大。
8.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第二开口靠近所述衬底的一端在所述衬底上的正投影的边界,位于所述第一开口远离所述衬底的一端在所述衬底上的正投影的边界之内。
9.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第二像素界定层为亲液层;或,
所述第二像素界定层包括第二基材层,以及至少覆盖所述第二基材层的侧壁的亲液层。
10.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第二像素界定层包括正性光刻胶层。
11.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第二开口的侧壁与所述第二像素界定层靠近所述衬底的表面之间的夹角范围为30°~75°。
12.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一像素界定层的厚度与所述第二像素界定层的厚度的比值范围为1~3。
13.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一电极和所述发光功能层的厚度的和,小于所述第一像素界定层的厚度。
14.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括:
第二电极层;所述第二电极层包括设置于所述发光功能层远离所述衬底一侧的第二电极,以及覆盖在所述第二像素界定层远离所述衬底一侧的表面,和所述第二开口的侧壁上的连接图案。
15.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1~14中任一项所述的显示基板。
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