[发明专利]显示面板的制备工艺及显示面板有效

专利信息
申请号: 202110351740.X 申请日: 2021-03-31
公开(公告)号: CN113097280B 公开(公告)日: 2022-07-19
发明(设计)人: 曹席磊 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/56;G09F9/30
代理公司: 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 代理人: 韩来兵;张丽颖
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 显示 面板 制备 工艺
【权利要求书】:

1.一种显示面板的制备工艺,所述显示面板包括显示区和非显示区,所述显示区包括若干像素单元区和非像素单元区,其特征在于,包括:

在衬底基板形成阵列基层过程中对应所述非像素单元区形成占位部;

去除所述占位部后,在所述阵列基层形成凹坑;

所述去除所述占位部后,还包括:

设置金属层,且所述金属层覆盖所述凹坑的内壁及周侧,形成金属包边;

形成平坦化层,所述平坦化层填充所述凹坑。

2.如权利要求1所述的显示面板的制备工艺,其特征在于,所述在衬底基板形成阵列基层过程中对应所述非像素单元区形成占位部,包括:

在衬底基板涂覆氟基聚合物层,氟基聚合物的含氟量占比在40%-70%;

对所述氟基聚合物层光刻形成所述占位部,所述占位部在垂直所述衬底基板所做截面形状为倒梯形。

3.如权利要求1所述的显示面板的制备工艺,其特征在于,所述在衬底基板形成阵列基层过程中对应所述非像素单元区形成占位部,包括:

在所述像素单元区形成多晶硅层;

沉积第一栅绝缘层,所述第一栅绝缘层覆盖所述多晶硅层;

在所述衬底基板涂覆氟基聚合物层;

对所述氟基聚合物层光刻形成所述占位部;

在所述衬底基板沉积第一栅极层、第二栅绝缘层及第二栅极层。

4.如权利要求1所述的显示面板的制备工艺,其特征在于,所述去除所述占位部后,包括:

在所述阵列基层形成无机介电层,所述无机介电层在所述凹坑内形成无机包边。

5.如权利要求1所述的显示面板的制备工艺,其特征在于,所述去除所述占位部后,包括:

在所述阵列基层形成有机介电层。

6.如权利要求1所述的显示面板的制备工艺,其特征在于,所述去除所述占位部前包括:

在所述阵列基层沉积形成无机介电层。

7.如权利要求1所述的显示面板的制备工艺,其特征在于,在所述平坦化层上加工形成阳极层、发光材料层及阴极层。

8.如权利要求1所述的显示面板的制备工艺,其特征在于,所述衬底基板包括玻璃层、聚酰亚胺层及缓冲层,所述阵列基层形成于所述缓冲层。

9.一种显示面板,其特征在于,采用权利要求1-8任一所述的显示面板的制备工艺加工而成。

10.如权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括阵列基层及平坦化层;

所述阵列基层在相邻两个像素单元区之间设置有多个凹坑,所述凹坑的横截面形状为圆形,所述平坦化层填充所述凹坑。

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