[发明专利]石墨基板的烘烤方法

说明书

本公开提供了一种石墨基板的烘烤方法，属于半导体技术领域。所述烘烤方法包括：将石墨基板放入烤炉中，对所述烤炉内部进行抽真空处理；将所述烤炉内的温度升高至设定温度；向所述烤炉内持续通入氮气，交替通入第一气体和第二气体，通入时间为t4，其中，第一气体为氢气，第二气体用于与所述石墨基板上的附着物进行氧化还原反应，使所述附着物脱离所述石墨基板，所述附着物至少包括铝氮、镓氮颗粒，或者氮化镓、氮化铝化合物；将所述烤炉内的温度降低至室温。采用该烘烤方法可以解决石墨基板不干净，表面容易有杂质附着的情况，改善外延片内圈波长偏短的问题。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，特别涉及一种石墨基板的烘烤方法。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管。LED具有高效节能、绿色环保的优点，在交通指示、户外全色显示等领域有着广泛的应用。尤其是利用大功率LED实现半导体固态照明，有望成为新一代光源进入千家万户，引起人类照明史的革命。

在生长LED外延片前，需要先将石墨基板置于烤炉中进行烘烤，以得到干净的石墨盘基座，接着将至少一个衬底放置在石墨基板上进行外延生长，形成LED外延片；然后在LED外延片上设置电极，并对衬底进行切割，得到若干相互独立的LED芯片；最后对LED芯片进行封装，完成LED的制作。

其中，石墨基板在反应室内不仅起到载物作用，同时化学气相沉积所需的温度也是通过底部的加热丝加热，然后通过石墨基板传到到衬底表面的。所以石墨基板的表层及凹槽内部是否干净无杂质对于外延片的波长均匀性有着至关重要的影响。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

石墨基板在烤炉烘烤的过程中，表面的铝氮、镓氮颗粒，以及氮化镓、氮化铝等化合物杂质很难反应完全，残留在石墨基板的表面容易导致生长完的石墨基板出现中心发白的现象，从而导致置于石墨基板内圈的外延片的波长出现异常偏短的现象。

发明内容

本公开实施例提供了一种石墨基板的烘烤方法，可以解决石墨基板不干净，表面容易有杂质附着的情况，改善外延片内圈波长偏短的问题。所述技术方案如下：

本公开实施例提供了一种石墨基板的烘烤方法，所述烘烤方法包括：

将石墨基板放入烤炉中，对所述烤炉内部进行抽真空处理；

将所述烤炉内的温度升高至设定温度；

向所述烤炉内持续通入氮气，交替通入第一气体和第二气体，通入时间为t4，其中，第一气体为氢气，第二气体用于与所述石墨基板上的附着物进行氧化还原反应，使所述附着物脱离所述石墨基板，所述附着物至少包括铝氮、镓氮颗粒，或者氮化镓、氮化铝化合物；

将所述烤炉内的温度降低至室温。

可选地，所述第二气体为一氧化碳和氨气的混合气体。

可选地，所述第二气体中，一氧化碳和氨气的体积比为1:1～1:3。

可选地，所述第二气体为臭氧。

可选地，所述交替通入第一气体和第二气体，包括：

重复下述步骤，直至向所述烤炉内交替通入所述第一气体和所述第二气体的通入时间达到所述t4：

向所述烤炉内通入所述第一气体，通入时间t41后，停止向所述烤炉内通入所述第一气体；

向所述烤炉内通入所述第二气体，通入时间t42后，停止向所述烤炉内通入所述第二气体；

其中，25min≤t41≤15min，5min≤t42≤15min，1h≤t4≤3h。