[发明专利]石墨基板的烘烤方法

权利要求书

1.一种石墨基板的烘烤方法，其特征在于，所述烘烤方法包括：

将石墨基板放入烤炉中，对所述烤炉内部进行抽真空处理；

将所述烤炉内的温度升高至设定温度；

向所述烤炉内持续通入氮气，交替通入第一气体和第二气体，通入时间为t4，所述交替通入第一气体和第二气体包括：重复下述步骤，直至向所述烤炉内交替通入所述第一气体和所述第二气体的通入时间达到所述t4：

向所述烤炉内通入所述第一气体，通入时间t41后，停止向所述烤炉内通入所述第一气体；

向所述烤炉内通入所述第二气体，通入时间t42后，停止向所述烤炉内通入所述第二气体；

其中，25min≤t41≤15min，5min≤t42≤15min，1h≤t4≤3h，其中，第一气体为氢气，用于对石墨基板的表面进行刻蚀，第二气体用于与所述石墨基板上的附着物进行氧化还原反应，使所述附着物脱离所述石墨基板，所述附着物至少包括铝氮、镓氮颗粒，或者氮化镓、氮化铝化合物，所述第二气体为一氧化碳和氨气的混合气体，所述第二气体中，一氧化碳和氨气的体积比为1:1～1:3；

继续升高所述烤炉内的温度至1200～1500℃，并向所述烤炉内通入纯氮气，通入时间为t5，2h≤t5≤5h，保持烤炉内的气压在0-10torr之间；

控制所述烤炉内的加热电极第一次降温，使烤炉内部达到500-800℃，向所述烤炉内通入纯氮气，通入时间为2h～5h；

控制所述烤炉内的加热电极第二次降温，使所述烤炉内部降至室温，停止向所述烤炉内通入纯氮气。

2.根据权利要求1所述的烘烤方法，其特征在于，每次向所述烤炉内通入的所述第二气体的流量逐渐增加。

3.根据权利要求1或2所述的烘烤方法，其特征在于，所述氢气的体积为所述氮气的体积的5％～15％。

4.根据权利要求1或2所述的烘烤方法，其特征在于，所述将所述烤炉内的温度升高至设定温度，包括：

多次升高所述烤炉内的加热电极的加热温度，并在每次升温后向所述烤炉内通入设定时间的纯氮气，直至所述烤炉内的温度达到设定温度。

5.根据权利要求4所述的烘烤方法，其特征在于，所述设定温度为800～1300℃。