[发明专利]用于双重图案化工艺的临界尺寸控制在审

申请号：	202110344021.5	申请日：	2016-08-31
公开（公告）号：	CN113178449A	公开（公告）日：	2021-07-27
发明（设计）人：	张哲诚;林志翰;曾鸿辉	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L27/092	分类号：	H01L27/092;H01L21/033;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/336;H01L21/3215
代理公司：	北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409	代理人：	章社杲;李伟
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	用于双重图案化工临界尺寸控制
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【权利要求书】：

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

鳍结构，在所述衬底上延伸；

多个第一金属栅极，位于所述衬底上并在所述鳍结构上延伸，多个所述第一金属栅极以第一间距彼此间隔开；以及

多个第二金属栅极，位于所述衬底上，多个所述第二金属栅极与多个所述第一金属栅极相邻并且在相同的一个所述鳍结构上延伸，其中，每个所述第一金属栅极的宽度与每个所述第二金属栅极的宽度不同，多个所述第二金属栅极以所述第一间距彼此间隔开，并且多个所述第一金属栅极与多个所述第二金属栅极中的每个的中心线之间的距离相同。

2.根据权利要求1所述半导体器件，还包括：

介电层，外围包围并且接触位于所述衬底上方的多个所述第一金属栅极和多个所述第二金属栅极。

3.根据权利要求2所述半导体器件，其中，所述介电层由均一材料形成，所述介电层从多个所述第一金属栅极和多个所述第二金属栅极中的每个金属栅极连续地延伸到相邻的另一个金属栅极。

4.根据权利要求2所述半导体器件，其中，所述介电层由氧化硅、氮化硅或氮氧化硅形成。

5.根据权利要求1所述半导体器件，其中，多个所述第一金属栅极和多个所述第二金属栅极包括相同的材料。

6.根据权利要求1所述半导体器件，其中，多个所述第一金属栅极和多个所述第二金属栅极是由相同的材料形成。

7.根据权利要求1所述半导体器件，其中，多个所述第一金属栅极和多个所述第二金属栅极由不同的材料形成。

8.根据权利要求1所述半导体器件，其中，多个所述第一金属栅极之间和多个所述第二金属栅极之间由相同的介电材料填充。

9.根据权利要求8所述半导体器件，其中，多个所述第一金属栅极与多个所述第二金属栅极之间的区域由所述介电材料填充。

10.一种半导体器件，包括：

衬底；

鳍结构，在所述衬底上延伸；