[发明专利]一种阵列式发光二极管器件及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202110343349.5 申请日: 2021-03-30
公开(公告)号: CN113078145B 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: 艾国齐;柯毅东;柯志杰 申请(专利权)人: 厦门乾照半导体科技有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62;F21K9/90;F21Y115/10
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆宗力
地址: 361100 福建省厦门市*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 阵列 发光二极管 器件 及其 制作方法
【说明书】:

发明提供了一种阵列式发光二极管器件及其制作方法,将第一类电极引线和第二类电极引线制作于电极背离衬底一侧,使得第一类电极引线和第二类电极引线无需经过发光二极管的侧壁处,进而降低了阵列式发光二极管器件的制作难度,且改善了电极引线容易断裂的情况;同时能够避免了电极引线吸收发光二极管的侧壁出光问题,提高了光效测试准确性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域,更为具体地说,涉及一种阵列式发光二极管器件及其制作方法。

背景技术

由于石油能源危机的到来,发展更高效率更省电的电子与照明设备越来越受到重视,在此趋势之下具有省电、环保无污染、寿命长、亮度高、反应快、体积小、高发光效率等优点的发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)组件渐渐在照明产业中露出头角,应用范围遍及于日常生活中。发光二极管的类型众多,Micro-LED即为其中之一。

Micro-LED发光器件具有自发光、厚度薄、高效率、高亮度、高解析度、反应时间快等优势,被越来越多的应用到各种照明领域中。由于Micro-LED发光器件的尺寸非常小,对于单个Micro-LED发光器件进行测试较为困难,故而需要以Micro-LED阵列方式对其进行测试。Micro-LED阵列中需要通过电极引线将不同Micro-LED发光器件相连,现有电极引线设置于Micro-LED器件的侧壁处,由于Micro-LED器件的侧壁较为陡直,将电极引线形成于Micro-LED器件的侧壁处使得制备难度大且容易出现断裂的情况;并且电极引线设置于Micro-LED器件的侧壁处会吸收其侧壁出光而影响光效。

发明内容

有鉴于此,本发明提供了一种阵列式发光二极管器件及其制作方法,有效解决了现有技术存在的技术问题,降低了阵列式发光二极管器件的制作难度,且改善了电极引线容易断裂的情况;同时能够避免了电极引线吸收发光二极管的侧壁出光问题,提高了光效测试准确性。

为实现上述目的,本发明提供的技术方案如下:

一种阵列式发光二极管器件的制作方法,包括:

提供发光二极管阵列和连接板材,所述发光二极管阵列包括衬底及位于所述衬底一侧的多个发光二极管,所述发光二极管包括背离所述衬底一侧表层的第一电极和第二电极;所述连接板材包括基板,位于所述基板一侧的剥离过渡层及位于所述剥离过渡层背离所述基板一侧的第一类电极引线和第二类电极引线;

将所述发光二极管阵列和所述连接板材对位设置,以将所述第一类电极引线与所述第一电极、及将所述第二类电极引线与所述第二电极热压键合;

剥离所述基板和所述剥离过渡层,得到阵列式发光二极管器件。

可选的,所述发光二极管阵列的制作方法包括:

提供衬底,所述衬底划分有多个发光区;

在所述衬底上生长外延层,所述外延层包括沿所述衬底至所述外延层方向依次叠加N型层、量子阱层和P型层;

在所述发光区处对所述外延层进行部分刻蚀,形成裸露所述N型层的台面;

在所述发光区处形成位于所述P型层背离所述衬底一侧的透明导电薄膜;

对所述外延层进行刻蚀直至裸露所述衬底,以将相邻所述发光区相互隔离;

在所述衬底朝向所述外延层一侧,形成覆盖所述衬底、所述外延层和所述透明导电薄膜的裸露面的绝缘层;

在所述发光区处形成位于所述绝缘层上的第一通孔和第二通孔,所述第一通孔裸露所述P型层,所述第二通孔裸露所述台面处的所述N型层;

在所述绝缘层背离所述衬底一侧形成所述第一电极和所述第二电极,所述第一电极通过所述第一通孔与所述P型层接触,所述第二电极通过所述第二通孔与所述N型层接触。

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