[发明专利]一种阵列式发光二极管器件及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列式发光二极管器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供发光二极管阵列和连接板材，所述发光二极管阵列包括衬底及位于所述衬底一侧的多个发光二极管，所述发光二极管包括背离所述衬底一侧表层的第一电极和第二电极；所述连接板材包括基板，位于所述基板一侧的剥离过渡层及位于所述剥离过渡层背离所述基板一侧的第一类电极引线和第二类电极引线；

将所述发光二极管阵列和所述连接板材对位设置，以将所述第一类电极引线与所述第一电极、及将所述第二类电极引线与所述第二电极热压键合；

剥离所述基板和所述剥离过渡层，得到阵列式发光二极管器件；

所述连接板材中形成所述第一类电极引线和第二类电极引线的同时，还形成位于所述剥离过渡层背离所述基板一侧的第一焊盘和第二焊盘；

其中，所述第一类电极引线与所述第一焊盘相连，所述第二类电极引线与所述第二焊盘相连；及，所述发光二极管阵列和所述连接板材对位设置时，所述第一焊盘和所述第二焊盘位于所述多个发光二极管所在区域之外；

所述剥离过渡层为GaN剥离过渡层，其中，剥离所述基板和所述剥离过渡层，得到阵列式发光二极管器件，包括：

采用激光剥离工艺去除所述基板和所述剥离过渡层，得到阵列式发光二极管器件。

2.根据权利要求1所述的阵列式发光二极管器件的制作方法，其特征在于，所述发光二极管阵列的制作方法包括：

提供衬底，所述衬底划分有多个发光区；

在所述衬底上生长外延层，所述外延层包括沿所述衬底至所述外延层方向依次叠加N型层、量子阱层和P型层；

在所述发光区处对所述外延层进行部分刻蚀，形成裸露所述N型层的台面；

在所述发光区处形成位于所述P型层背离所述衬底一侧的透明导电薄膜；

对所述外延层进行刻蚀直至裸露所述衬底，以将相邻所述发光区相互隔离；

在所述衬底朝向所述外延层一侧，形成覆盖所述衬底、所述外延层和所述透明导电薄膜的裸露面的绝缘层；

在所述发光区处形成位于所述绝缘层上的第一通孔和第二通孔，所述第一通孔裸露所述P型层，所述第二通孔裸露所述台面处的所述N型层；

在所述绝缘层背离所述衬底一侧形成所述第一电极和所述第二电极，所述第一电极通过所述第一通孔与所述P型层接触，所述第二电极通过所述第二通孔与所述N型层接触。

3.根据权利要求1所述的阵列式发光二极管器件的制作方法，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极包括：沿所述衬底至所述发光二极管方向依次叠加的Ni层和Au层；

或者，所述第一电极和所述第二电极包括：沿所述衬底至所述发光二极管方向依次叠加的Ni层和Al层。

4.根据权利要求1所述的阵列式发光二极管器件的制作方法，其特征在于，所述发光二极管为Micro-LED。

5.一种阵列式发光二极管器件，其特征在于，采用权利要求1-4任意一项所述的制作方法制备而成，包括：

发光二极管阵列，所述发光二极管阵列包括衬底及位于所述衬底一侧的多个发光二极管，所述发光二极管包括背离所述衬底一侧表层的第一电极和第二电极；

位于所述第一电极背离所述衬底一侧的第一类电极引线，及位于所述第二电极背离所述衬底一侧的第二类电极引线，所述第一类电极引线与所述第一电极键合接触，所述第二电极引线与所述第二电极键合接触，其中，在相邻所述发光二极管之间处，所述第一类电极引线和所述第二类电极引线悬空；

所述阵列式发光二极管器件还包括：

与所述第一类电极引线同层的第一焊盘，及与所述第二类电极引线同层的第二焊盘，所述第一类电极引线与所述第一焊盘相连，所述第二类电极引线与所述第二焊盘相连，且所述第一焊盘和所述第二焊盘位于所述多个发光二极管所在区域之外。

6.根据权利要求5所述的阵列式发光二极管器件，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极包括：沿所述衬底至所述发光二极管方向依次叠加的Ni层和Au层；

或者，所述第一电极和所述第二电极包括：沿所述衬底至所述发光二极管方向依次叠加的Ni层和Al层。

7.根据权利要求5所述的阵列式发光二极管器件，其特征在于，所述发光二极管为Micro-LED。