[发明专利]掩膜结构、半导体结构及制备方法

权利要求书

1.一种掩膜结构的制备方法，其特征在于，包括：

形成包括由下至上依次叠置的第一介质层、第一掩膜层、第二介质层及第二掩膜层的叠层结构，所述叠层结构包括阵列区域及位于所述阵列区域外侧的外围区域；

图形化位于所述阵列区域的所述第二掩膜层及位于所述阵列区域的所述第二介质层，以于所述阵列区域内形成图形结构，所述图形结构暴露出所述第一掩膜层；

于所述图形结构的侧壁、所述图形结构的上表面、所述阵列区域裸露的所述第一掩膜层的上表面及所述外围区域的所述第二掩膜层的上表面形成第一掩膜材料层；

形成第二图形化光刻胶层，所述第二图形化光刻胶层覆盖位于所述外围区域的所述第一掩膜材料层的上表面；

去除位于所述图形结构的上表面及裸露的所述第一掩膜层的上表面的所述第一掩膜材料层，以于所述图形结构的侧壁形成第一掩膜图形，并基于所述第一掩膜图形去除所述图形结构；

去除所述第二图形化光刻胶层；

形成第一图形化光刻胶层，所述第一图形化光刻胶层覆盖所述阵列区域，且覆盖所述第一掩膜图形；

去除位于所述外围区域的所述第二掩膜层，以暴露出位于所述外围区域的所述第二介质层；

形成第三介质层，所述第三介质层覆盖所述外围区域及所述第一图形化光刻胶层的上表面；

对所得结构进行平坦化处理，使得保留的所述第一图形化光刻胶层的上表面及保留的所述第三介质层的上表面均与所述第一掩膜图形的上表面相平齐。

2.根据权利要求1所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，位于所述外围区域的所述第一掩膜材料层在形成所述第一掩膜图形后被保留。

3.根据权利要求2所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，所述形成第二图形化光刻胶层包括：

形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层覆盖所述第一掩膜材料层的上表面，且所述第二光刻胶层的上表面高于所述第一掩膜材料层的上表面；

对所述第二光刻胶层进行图形化处理，去除位于所述阵列区域的所述第二光刻胶层，以得到第二图形化光刻胶层。

4.根据权利要求3所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，所述形成第一图形化光刻胶层包括：

形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层覆盖所述阵列区域及所述外围区域；

对所述第一光刻胶层进行图形化处理，去除位于所述外围区域的所述第一光刻胶层，以得到第一图形化光刻胶层；所述第一图形化光刻胶层的上表面高于所述第一掩膜图形的上表面及所述第二介质层的上表面。

5.根据权利要求4所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，所述第一光刻胶层及所述第二光刻胶层均为负性光刻胶层。

6.根据权利要求2所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，所述去除位于所述外围区域的所述第二掩膜层之前还包括：去除位于所述外围区域的所述第一掩膜材料层。

7.根据权利要求1所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，所述第二掩膜层与所述第一掩膜层的刻蚀选择比大于1。

8.根据权利要求7所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜图形与所述第一掩膜层的刻蚀选择比大于1。

9.根据权利要求1所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，采用平推刻蚀工艺对所得结构进行平坦化处理，使得保留的所述第一图形化光刻胶层的上表面及保留的所述第三介质层的上表面均与所述第一掩膜图形的上表面相平齐。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜图形沿第一方向延伸；所述对所得结构进行平坦化处理之后还包括：于所述第一掩膜图形上形成第二掩膜图形，所述第二掩膜图形沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交。