[发明专利]模封方法及半导体封装结构在审
申请号: | 202110339829.4 | 申请日: | 2021-03-30 |
公开(公告)号: | CN113140583A | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 张永兴;褚福堂;黄文彬 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京植德律师事务所 11780 | 代理人: | 唐华东 |
地址: | 中国台湾高*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 方法 半导体 封装 结构 | ||
本公开提供了模封方法及半导体封装结构,其中,半导体封装结构包括衬底、至少两个设置于衬底上的裸晶片和封装层,每个裸晶片设置于衬底上表面,裸晶片上表面设置有玻璃,而封装层包覆各裸晶片及其上表面设置的玻璃,各裸晶片上表面设置的玻璃的上表面暴露在封装层外,且至少两个所述裸晶片上设置的玻璃距离衬底上表面的高度不同。而为了模封得到上述半导体封装结构的两种模封方法利用胶带或者保护层以平均分布各玻璃上表面的高度差异带来的压力不平均,可以减少或避免现有CIS产品中可能存在的脱模或玻璃破裂问题,进而提高CIS产品良率。
技术领域
本公开涉及半导体封装技术领域,具体涉及模封方法及半导体封装结构。
背景技术
在CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,互补金属氧化物半导体)图像传感器(CIS,CMOS Image Sensor)产品中,一般包括至少两个平行设置的裸晶片,每个裸晶片的上表面还可对应设置有障壁(Dam,或称为围墙、阻隔坝、拦坝),障壁上再对应设置有玻璃以保护裸晶片。
为了满足裸晶片的工作需求,玻璃的上表面需要露出封装材(Molding compound)表面。然而,由于制程变异的原因,设置在不同裸晶片上的不同玻璃高度可能不同。当用较硬的离型膜贴在玻璃上进行模封制程时,如果障壁的杨氏系数(Young's modulus)较低,即障壁较容易发生形变,继而模封(Molding)制程过程中,模流对障壁产生的压力,即模压,可能造成障壁发生形变而高度变矮,进而该障壁上的玻璃高度也相应变矮,即可能导致封装材残留在该高度变矮的障壁之上的玻璃上表面,即导致发生脱模(Mold bleeding),即残留的封装材盖住了玻璃,即玻璃没有暴露出封装材表面,将导致该产品失效。相反,如果障壁的杨氏系数(Young's modulus)较高,即障壁不容易发生形变,继而模封制程过程中,模流对障壁产生的压力,即模压不会使障壁发生形变而相应的该障壁上的玻璃可能会在模压的作用下发生破裂(Crack)。
发明内容
本公开提出了模封方法及半导体封装结构。
第一方面,本公开提供了一种模封方法,包括:
提供半导体结构,所述半导体结构包括衬底和至少两个设置于所述衬底上裸晶片,每个所述裸晶片的上表面设置有玻璃,且至少两个所述裸晶片上设置的玻璃距离所述衬底上表面的高度不同;
使用胶带覆盖所述半导体结构的上表面,其中,所述胶带由粘合层和PI膜组成,所述粘合层接触各所述裸晶片上设置的玻璃;
使用模具及封装材模封所述半导体结构,其中,所述模具接触所述PI膜;
移除所述模具;
移除形成于所述PI膜上的封装材;
移除所述胶带。
在一些可选的实施方式中,所述移除形成于所述PI膜上的封装材,包括:
研磨掉形成于所述PI膜上的封装材。
在一些可选的实施方式中,所述移除所述胶带,包括:
用喷嘴吸住并撕掉所述胶带。
在一些可选的实施方式中,所述使用模具及封装材模封所述半导体结构之前,所述方法还包括:
使用压制件压制于所述半导体结构上,以利用所述压制件将所述胶带往所述半导体结构中玻璃方向压制更深的深度。
在一些可选的实施方式中,所述裸晶片上表面设置有玻璃,包括:
所述裸晶片上表面依次设置有障壁和玻璃。
在一些可选的实施方式中,所述障壁的水平纵向截面为中空封闭形状。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110339829.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的