[发明专利]热处理装置在审
| 申请号: | 202110339403.9 | 申请日: | 2021-03-30 |
| 公开(公告)号: | CN113808967A | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
| 发明(设计)人: | 小野寺胜也;笠次克尚;西冈昌浩;青栁圭太 | 申请(专利权)人: | 光洋热系统股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;杨俊波 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 热处理 装置 | ||
本发明提供热处理装置,在立式的热处理装置中,能够抑制从容器底侧的开口部散热,并且减小底部区域中的水平方向上的热偏差,还能够使热处理装置的制造成本和运用成本更低价。热处理装置(1)具有:立式的管(3),其在下端部配置有用于被处理物(100)出入的开口部(34);加热器(22),其配置于管(3)的周围;物架(43),其具有在上下方向上分离地设置有多个用于支承被处理物(100)的支承部(51)的结构,该物架(43)在管(3)内对多个被处理物(100)进行保持;以及热射线反射部件(5),其在上下方向上配置于最下侧的被处理物(100)的下方,用于使来自加热器(22)的热射线向被支承于物架(43)的被处理物(100)反射。
技术领域
本发明涉及用于在加热了的气氛下对被处理物进行处理的热处理装置。
背景技术
公知有用于对半导体制造用的晶片进行热处理的热处理装置(例如,参照日本特开2005-217383号公报)。
日本特开2005-217383号公报中记载的热处理装置是立式炉。该立式炉具有配置于炉体内的石英的热处理容器。在该容器内,搬入有载置于晶舟上的半导体晶片等多个被处理基板。然后,在利用惰性气体对容器内进行气体清洗后,向容器内注入处理气体来进行热处理。在这样的立式的热处理装置中,在容器的底部形成有开口部,形成了被处理基板的出入口。在热处理装置中,容易从该开口部散热,因此通过在上述的开口部沿垂直方向排列多片水平朝向的隔热板来形成绝热构造,以抑制热处理中的散热。
如上所述,要求抑制从立式炉的容器底侧的开口部散热。作为这样的结构,除了日本特开2005-217383号公报中记载的结构之外,也考虑了将内包有石英棉的石英制的盒设置于容器底侧的开口部的结构。另外,作为又一结构,也考虑了在容器底侧的开口部,将水平配置的绝热用的翅片沿上下配置多片,并且设置副加热器的结构。副加热器是与设置在容器的周围以对容器内的气氛进行加热的加热器不同的加热器。
上述的石英盒具有高绝热性能,因此抑制从开口部散热的效果高,但另一方面,其制造成本高。另外,上述的使用副加热器的结构与使用石英盒的结构相比,绝热性能差。但是,能够借助副加热器发挥开口部的保温功能,并且能够发挥作为开口部附近的区域的底部区域的均热功能(减小水平方向上的温度分布的偏差的功能)。底部区域的均热性对于配置在底部区域侧的被处理基板中的热处理品质的均匀性很重要。但是,由于需要设置副加热器,因此制造成本和电费等运用成本高。
发明内容
鉴于上述情况,本发明的目的在于,在立式的热处理装置中,能够抑制从容器底侧的开口部散热,并且减小底部区域中的水平方向上的热偏差,还能够使热处理装置的制造成本和运用成本更低价。
(1)为了解决上述课题,本发明的某一方面的热处理装置具有:立式的容器,其在下端部配置有用于被处理物出入的开口部;加热器,其配置于所述容器的周围;物架,其具有在上下方向上分离地设置有多个用于支承所述被处理物的支承部的结构,该物架在所述容器内对多个所述被处理物进行保持;以及热射线反射部件,其在所述上下方向上配置于最下侧的所述被处理物的下方,用于使来自所述加热器的热射线向被支承于所述物架的所述被处理物反射。
根据该结构,在最下侧的被处理物的下方配置有热射线反射部件。热射线反射部件能够使来自配置于容器的周围的加热器的热射线朝向被处理物反射。由此,能够抑制从容器底侧的开口部散热,其结果为,能够使配置于最下侧的被处理物内的温度差(温度的最高值与最小值之差)更加均等。即,能够发挥作为容器底侧的开口部附近的区域的底部区域的均热功能(水平方向上的温度分布的偏差小)。而且,由于采用设置热射线反射部件的简单结构即可,因此无需为了抑制从容器底侧的开口部散热而使用制造成本高的石英盒,能够降低热处理装置的制造成本。而且,由于即使不在容器底侧的开口部设置副加热器也能够提高底部区域的均热性,因此能够降低热处理装置的制造成本,并且能够降低电费等运用成本。根据以上的情况,在立式的热处理装置中,能够抑制从容器底侧的开口部散热,并且减小底部区域中的水平方向上的热偏差,还能够使热处理装置的制造成本和运用成本更低价。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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