[发明专利]热处理装置在审
| 申请号： | 202110339403.9 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113808967A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 小野寺胜也;笠次克尚;西冈昌浩;青栁圭太 | 申请（专利权）人： | 光洋热系统股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;杨俊波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 | ||
1.一种热处理装置，其具有：
立式的容器，其在下端部配置有用于被处理物出入的开口部；
加热器，其配置于所述容器的周围；
物架，其具有在上下方向上分离地设置有多个用于支承所述被处理物的支承部的结构，该物架在所述容器内对多个所述被处理物进行保持；以及
热射线反射部件，其在所述上下方向上配置于最下侧的所述被处理物的下方，用于使来自所述加热器的热射线向被支承于所述物架的所述被处理物反射。
2.根据权利要求1所述的热处理装置，其中，
所述加热器包含有：
底部加热器，其配置为包围所述热射线反射部件；以及
中心加热器，其配置于该底部加热器的上方，能够成为与所述底部加热器的温度不同的温度。
3.根据权利要求2所述的热处理装置，其中，
所述底部加热器在所述上下方向上具有规定的长度，
所述热射线反射部件在所述上下方向上配置在从所述底部加热器的下端往上所述长度的5/12～11/12的范围内。
4.根据权利要求1所述的热处理装置，其中，
所述热射线反射部件为1片板。
5.根据权利要求1所述的热处理装置，其中，
所述热处理装置还具有热屏障，该热屏障在所述容器内在所述物架的下方配置于所述开口部的周围，
所述热射线反射部件配置于所述热屏障的上方。
6.根据权利要求5所述的热处理装置，其中，
所述热屏障包含有沿所述上下方向排列有多个的超耐温微晶玻璃部件。
7.根据权利要求1至6中的任意一项所述的热处理装置，其中，
所述热射线反射部件配置为从所述上下方向观察时避开被所述支承部支承的所述被处理物的四角。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
