[发明专利]自旋轨道转矩型磁化反转元件、磁存储器及高频磁性器件

权利要求书

1.一种自旋轨道转矩型磁化反转元件，其具备：

铁磁性金属层，其磁化方向变化；和

自旋轨道转矩配线，其沿相对于所述铁磁性金属层的层叠方向交叉的第一方向延伸，与所述铁磁性金属层接合，

在将正交于所述第一方向以及所述层叠方向的第二方向上的所述自旋轨道转矩配线的端部的一方设为第一端部，并将另一方设为第二端部时，

从所述第一方向观察，所述自旋轨道转矩配线的所述第一端部侧的侧壁和所述第二端部侧的侧壁的倾斜角度不同，

在从所述第一方向观察所述自旋轨道转矩型磁化反转元件的沿着所述第二方向的截面时，以穿过所述铁磁性金属层的所述第二方向的中心的轴为基准，将所述自旋轨道转矩配线的所述第一端部侧的区域作为第一区域，并将所述自旋轨道转矩配线的所述第二端部侧的区域作为第二区域，所述第一区域的面积与所述第二区域的面积不同。

2.一种自旋轨道转矩型磁化反转元件，其具备：

铁磁性金属层，其磁化方向变化；和

自旋轨道转矩配线，其沿相对于所述铁磁性金属层的层叠方向交叉的第一方向延伸，与所述铁磁性金属层接合，

从所述第一方向观察，所述自旋轨道转矩配线的上表面的宽度比所述自旋轨道转矩配线的底面的宽度窄，

在将正交于所述第一方向以及所述层叠方向的方向设为第二方向，将所述第二方向上的所述自旋轨道转矩配线的端部的一方设为第一端部，并将另一方设为第二端部时，

在从所述第一方向观察所述自旋轨道转矩型磁化反转元件的沿着所述第二方向的截面时，以穿过所述铁磁性金属层的所述第二方向的中心的轴为基准，将所述自旋轨道转矩配线的所述第一端部侧的区域作为第一区域，并将所述自旋轨道转矩配线的所述第二端部侧的区域作为第二区域，所述第一区域的面积与所述第二区域的面积不同。

3.根据权利要求1所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件，其中，

将所述自旋轨道转矩配线的所述第二方向的端部设为第一端部及第二端部，

作为所述铁磁性金属层的所述第二方向的端部，将接近第一端部的一侧的端部设为第三端部，将接近第二端部的一侧的端部设为第四端部，此时，

所述第一端部和所述第三端部的距离与所述第二端部和所述第四端部的距离不同。

4.根据权利要求2所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件，其中，

将所述自旋轨道转矩配线的第二方向的端部设为第一端部及第二端部，

作为所述铁磁性金属层的所述第二方向的端部，将接近第一端部的一侧的端部设为第三端部，将接近第二端部的一侧的端部设为第四端部，此时，

所述第一端部和所述第三端部的距离与所述第二端部和所述第四端部的距离不同。

5.根据权利要求3所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件，其中，

所述第一端部和所述第三端部的距离以及所述第二端部和所述第四端部的距离分别大于0，且至少任一者的距离为所述自旋轨道转矩配线的自旋扩散长度以下。

6.根据权利要求4所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件，其中，

所述第一端部和所述第三端部的距离以及所述第二端部和所述第四端部的距离分别大于0，且至少任一者的距离为所述自旋轨道转矩配线的自旋扩散长度以下。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件，其中，

关于所述自旋轨道转矩配线，以所述轴为基准，构成作为所述第二方向的所述第一端部侧的部分的第一部分的材料与构成作为所述第二端部侧的部分的第二部分的材料不同。

8.根据权利要求7所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件，其中，

所述第一部分由金属构成，所述第二部分由半导体或绝缘体构成。

9.根据权利要求1～6中任一项所述的自旋轨道转矩型磁化反转元件，其中，

在从所述第一方向观察时，所述自旋轨道转矩配线向所述第二方向倾斜。