[发明专利]一种高分辨率微显示器结构及其制备方法

说明书

一种高分辨率微显示器结构及其制备方法，属于微显示技术领域，其中的高分辨率微显示器结构，包括由内而外依次设置的驱动电路层、像素定义层、蓝光发光层、阴极膜层、封装层、滤光层和透明保护层，滤光层包括红光量子层和绿光量子层，封装层上与蓝光发光层相对的位置设置透明保护层，红光量子层和绿光量子层的表面覆盖透明保护层，本发明的有益效果是，本发明通过使用量子点取代彩色光刻胶，使用光刻和干法刻蚀工艺用于量子点的图形化，可以实现高色域、高亮度、高精度微显示器彩色化，可满足高分辨率微显示器的需求。

技术领域

本发明涉及微显示技术领域，尤其涉及一种高分辨率微显示器结构及其制备方法。

背景技术

在高分辨率微显示器中，随着像素尺寸的减小，要求滤光片CF，Color Filter尺寸越来越小，例如5000PPI要求CF线宽≤2um。CF材料一般是负胶，分辨率很难做到≤2um，尤其是微显示常采用的低温CF，解析力更差，不能满足高分辨率线宽需求。另外，随着CF线宽变小，彩色光刻胶稳定性会变差，容易在使用过程中降解，导致色域变差。所以开发一种能够满足微显示高分辨率需求的彩色化技术很有必要。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种高分辨率微显示器结构及其制备方法，通过使用量子点取代彩色光刻胶，使用光刻和干法刻蚀工艺用于量子点的图形化，可以实现高色域、高亮度、高精度微显示器彩色化，可满足高分辨率微显示器的需求。

为实现上述目的，本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：所述高分辨率微显示器结构，包括由内而外依次设置的驱动电路层、像素定义层、蓝光发光层、阴极膜层、封装层、滤光层和透明保护层，所述滤光层包括红光量子层和绿光量子层，所述封装层上与所述蓝光发光层相对的位置设置所述透明保护层，所述红光量子层和绿光量子层的表面覆盖所述透明保护层。

进一步地，所述驱动电路层包括衬底及其上设置的多个阳极，相邻两个阳极之间设置所述像素定义层，所述像素定义层和阳极上依次覆盖所述蓝光发光层、阴极膜层和封装层。

进一步地，所述红光量子层与所述绿光量子层紧挨相连，且分别设置在与两个相邻的阳极相对的封装层的表面。

进一步地，所述红光量子层包括红色量子点层及上表面覆盖的阻挡层Ⅰ，所述绿光量子层包括绿色量子点层及其上表面覆盖的阻挡层Ⅱ，所述绿色量子点层的一端搭接在所述红光量子层的一端。

进一步地，所述阻挡层Ⅰ和阻挡层Ⅱ均由透明无机材料制备而成，所述透明保护层由透明光刻胶或透明无机材料制备而成，所述透明无机材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铟锡、氧化铟镓锌或氧化铟锌。

进一步地，所述红光量子层或绿光量子层的一侧设置所述透明保护层形成蓝光透光层。

一种高分辨率微显示器结构的制备工艺，包括以下步骤：

1)在衬底上制备阳极形成驱动电路层；

2)在相邻两个阳极之间制备像素定义层；

3)在像素定义层和阳极表面依次蒸镀蓝光发光层和阴极膜层，在阴极膜层表面沉积封装层；

4)在封装层表面涂布红色量子点层，并在红色量子点层表面沉积透明无机材料形成阻挡层Ⅰ；

5)在与阳极相对的阻挡层Ⅰ和红色量子点层表面进行光刻、干法刻蚀和后续处理后得到红光量子层；

6)在红光量子层和封装层表面涂布绿色量子点层，并在绿色量子点层表面沉积透明无机材料形成阻挡层Ⅱ；

7)在红光量子层一侧且与相邻阳极相对的绿色量子点层和阻挡层Ⅱ表面进行光刻、干法刻蚀和后续处理后得到绿光量子层；

8)在红光量子层、绿光量子层和封装层表面制备透明保护层。