[发明专利]一种高分辨率微显示器结构及其制备方法

权利要求书

1.一种高分辨率微显示器结构，其特征在于，包括由内而外依次设置的驱动电路层(1)、像素定义层(2)、蓝光发光层(3)、阴极膜层(4)、封装层(5)、滤光层(6)和透明保护层(7)，所述滤光层(6)包括红光量子层(61)和绿光量子层(62)，所述封装层(5)上与所述蓝光发光层(3)相对的位置设置所述透明保护层(7)，所述红光量子层(61)和绿光量子层(62)的表面覆盖所述透明保护层(7)。

2.根据权利要求1所述的高分辨率微显示器结构，其特征在于：所述驱动电路层(1)包括衬底(11)及其上设置的多个阳极(12)，相邻两个阳极(12)之间设置所述像素定义层(2)，所述像素定义层(2)和阳极(12)上依次覆盖所述蓝光发光层(3)、阴极膜层(4)和封装层(5)。

3.根据权利要求1所述的高分辨率微显示器结构，其特征在于：所述红光量子层(61)与所述绿光量子层(62)紧挨相连，且分别设置在与两个相邻的阳极(12)相对的封装层(5)的表面。

4.根据权利要求3所述的高分辨率微显示器结构，其特征在于：所述红光量子层(61)包括红色量子点层(611)及上表面覆盖的阻挡层Ⅰ(612)，所述绿光量子层(62)包括绿色量子点层(621)及其上表面覆盖的阻挡层Ⅱ(622)，所述绿色量子点层(621)的一端搭接在所述红光量子层(61)的一端。

5.根据权利要求4所述的高分辨率微显示器结构，其特征在于：所述阻挡层Ⅰ(612)和阻挡层Ⅱ(622)均由透明无机材料制备而成，所述透明保护层(7)由透明光刻胶或透明无机材料制备而成，所述透明无机材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铟锡、氧化铟镓锌或氧化铟锌。

6.一种如权利要求1～5任意一项所述的高分辨率微显示器结构的制备工艺，其特征在于：包括以下步骤：

1)在衬底(11)上制备阳极(12)形成驱动电路层(1)；

2)在相邻两个阳极(12)之间制备像素定义层(2)；

3)在像素定义层(2)和阳极(12)表面依次蒸镀蓝光发光层(3)和阴极膜层(4)，在阴极膜层(4)表面沉积封装层(5)；

4)在封装层(5)表面涂布红色量子点层(611)，并在红色量子点层(611)表面沉积透明无机材料形成阻挡层Ⅰ(612)；

5)在与阳极(12)相对的阻挡层Ⅰ(612)和红色量子点层(611)表面进行光刻、干法刻蚀和后续处理后得到红光量子层(61)；

6)在红光量子层(61)和封装层(5)表面涂布绿色量子点层(621)，并在绿色量子点层(621)表面沉积透明无机材料形成阻挡层Ⅱ(622)；

7)在红光量子层(61)一侧且与相邻阳极(12)相对的绿色量子点层(621)和阻挡层Ⅱ(622)表面进行光刻、干法刻蚀和后续处理后得到绿光量子层(62)；

8)在红光量子层(61)、绿光量子层(62)和封装层(5)表面制备透明保护层(7)。

7.根据权利要求6所述的高分辨率微显示器结构的制备方法，其特征在于：所述步骤5)中制备红光量子层(61)和步骤7)中制备绿光量子层(62)的方法相同，包括：

1)在阻挡层Ⅰ(612)或阻挡层Ⅱ(622)表面涂覆光刻胶，并对阻挡层Ⅰ(612)和红色量子点层(611)、或阻挡层Ⅱ(622)和绿色量子点层(621)进行曝光、显影、图形化后保留光刻胶覆盖的区域；

2)刻蚀阻挡层Ⅰ(612)或阻挡层Ⅱ(622)，对红色量子点层(611)或绿色量子点层(621)进行干法刻蚀，再通过干法灰化工艺去除光刻胶得到红光量子层(61)或绿光量子层(62)。

8.根据权利要求6所述的高分辨率微显示器结构的制备方法，其特征在于：所述步骤8)中制备透明保护层(7)的方法是：在红光量子层(61)、绿光量子层(62)和封装层(5)表面涂布透明光刻胶或沉积透明无机材料形成所述透明保护层(7)。