[发明专利]光掩模上的EUV防护膜及其安装方法在审
申请号: | 202110338232.8 | 申请日: | 2021-03-30 |
公开(公告)号: | CN113515008A | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 魏文耀;吕启纶;李信昌 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/62 | 分类号: | G03F1/62;G03F1/64 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 杨佳婧 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光掩模上 euv 防护 及其 安装 方法 | ||
本申请涉及光掩模上的EUV防护膜及其安装方法。在一种从光掩模拆卸防护膜的方法中,将具有防护膜的光掩模放置在掩模支架上。防护膜通过多个微结构附接于光掩模。在施加拉力以将防护膜从光掩模分离之前或者在未施加拉力的情况下,通过向多个微结构施加力或能量来使多个微结构从光掩模脱离。从光掩模拆卸防护膜。在前述和以下实施例中的一个或多个中,多个微结构由弹性体制成。
技术领域
本公开总体上涉及光掩模上的EUV防护膜及其安装方法。
背景技术
在集成电路(IC)设计期间,生成IC的许多布局图案,以用于IC处 理的不同步骤。布局图案包括与将在衬底上制造的结构相对应的几何形状。 布局图案可以是掩模上的图案,其通过辐射源被投射(例如,成像)在衬 底上的光致抗蚀剂层上,以创建IC。光刻工艺将掩模的图案转移到衬底的 光致抗蚀剂层,使得蚀刻、注入、或其他步骤仅被施加应用于衬底的预定 区域。可以使用极紫外(EUV)辐射源以暴露衬底的光致抗蚀剂层,来执 行将掩模的图案转移到光致抗蚀剂层。
发明内容
根据本公开的第一方面,提供了一种从光掩模拆卸防护膜的方法,包 括:将具有所述防护膜的所述光掩模放置在掩模支架上,其中,所述防护 膜通过多个微结构附接于所述光掩模;在施加拉力以将所述防护膜从所述 光掩模分离之前或者在未施加拉力的情况下,通过向所述多个微结构施加 力或能量来使所述多个微结构从所述光掩模脱离;以及从所述光掩模拆卸 所述防护膜。
根据本公开的第二方面,提供了一种从光掩模安装防护膜的方法,包 括:将所述光掩模放置在掩模支架上;将所述防护膜放置在防护膜支架上, 其中,所述防护膜包括具有开口的框架,并且多个微结构被设置在所述框 架的底部;通过移动所述防护膜支架以使得所述多个微结构抵靠所述光掩 模的表面,将所述多个微结构附接于所述光掩模;以及移动所述防护膜支 架以将具所述有防护膜的所述光掩模留在所述掩模支架上。
根据本公开的第三方面,提供了一种用于极紫外EUV光掩模的防护膜, 所述防护膜包括:EUV透明膜;具有开口的框架;以及多个微结构,所述 多个微结构由粘附弹性体制成并且被设置在所述框架的底部上。
附图说明
在结合附图阅读时,可以从下面的具体实施例最佳地理解本公开。要 强调的是,根据行业的标准做法,各种特征不是按比例绘制的并且仅用于 说明目的。事实上,为了讨论的清楚起见,各种特征的尺寸可能被任意增 大或减小。
图1示出了根据本公开的一些实施例的具有激光产生的等离子体 (LPP)EUV辐射源的极紫外(EUV)光刻系统的示意图。
图2示出了根据本公开的一些实施例的EUV光刻曝光工具的示意图。
图3A是根据本公开的一些实施例的具有防护膜(pellicle)的反射光 掩模的平面图,图3B是其截面图。
图4A和图4B示出了根据本公开的一些实施例的防护膜安装结构的各 个视图。
图5A、图5B、图5C和图5D示出了根据本公开的一些实施例的防护 膜安装和拆卸操作。
图6A、图6B、图6C、图6D、图6E和图6F示出了根据本公开的一 些实施例的防护膜安装和拆卸操作。图6G、图6H、图6I、图6J和图6K 示出了根据本公开的一些实施例的防护膜安装和拆卸操作。
图7A、图7B、图7C和图7D示出了根据本公开的一些实施例的防护 膜安装和拆卸操作。
图8A、图8B、图8C、图8D、图8E、图8F和图8G示出了根据本公 开的一些实施例的防护膜安装和拆卸操作。
图9A、图9B、图9C和图9D示出了根据本公开的一些实施例的防护 膜安装和拆卸操作。
图10A、图10B、图10C、图10D、图10E和图10F示出了根据本公 开的一些实施例的防护膜安装和拆卸操作。
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