[发明专利]一种西瓜离体培养方法

说明书

本发明涉及一种西瓜离体培养方法，其包括以下步骤：(1)、种子预处理及接种；(2)、不定芽出芽诱导；(3)、不定芽增殖；(4)、生根培养；(5)、炼苗与移栽。其通过合理选择和优化每一步的参数，可以提高西瓜的发芽率，有利于西瓜的离体再生，具有广阔的利用前景。

技术领域

本发明属于农业技术领域，涉及的是一种西瓜培养方法，具体涉及一种西瓜离体培养方法。

背景技术

西瓜[Citrullus lanatus(Thunb.)Matsum.et Nakai]属葫芦科(Cucurbitaceae)，原产于非洲南部的热带草原区，是一种重要的瓜果作物，其肉质甜美多汁。西瓜的常规生产育苗是通过种子繁殖，但由于西瓜遗传基础狭窄、种质资源相对缺乏，常规遗传育种费时费力，导致很多重要的优良性状无法通过常规育种方法进行改良。

因此，采用生物技术手段进行种质资源创新，培育优质、高产、抗性强的新品种已成为西瓜遗传育种的研究热点。其中，离体培养技术已成为生物技术的重要组成部分。

但是，目前西瓜种子无菌萌发和高效离体子叶再生体系的建立研究较少，而其多倍体诱导尚未见报道。这样，导致其无菌萌发的发芽率低，离体培养成功率低，不利于推广应用。

鉴于现有技术的上述技术缺陷，迫切需要研制一种西瓜离体培养方法。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术中存在的缺点，提供一种西瓜离体培养方法，其通过合理选择和优化每一步的参数，可以提高西瓜的发芽率，有利于西瓜的离体再生，具有广阔的利用前景。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种西瓜离体培养方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)、种子预处理及接种：选取籽粒饱满的西瓜种子进行超声波处理和消毒处理，然后播种到培养基中，其中，所述超声波处理为将西瓜种子放入40kHz超声波清洗器内进行超声波处理且超声波处理时间为15min，所述消毒处理为先用体积分数为75％的乙醇消毒30s，再用2.5％的次氯酸钠处理8min；

(2)、不定芽出芽诱导：待西瓜种子萌芽5～6d后，选取其子叶为材料进行诱导，其中，诱导条件为：外植体部位为子叶近胚轴，接种方向为切口向下，植物生长调节剂为6-BA和TDZ，且6-BA浓度为0.5mg/L，TDZ浓度为0.05mg/L；

(3)、不定芽增殖：取出诱导出不定芽的外植体，去除残留的培养基，切除老化以及与培养基接触的部位，接种于增殖培养基上进行增殖培养24d，其中，所述增殖培养基为在MS培养基上添加植物生长调节物质6-BA和NAA，并且，6-BA的浓度为0.8mg/L，NAA的浓度为0.08mg/L；

(4)、生根培养：将生长健壮的株高为3cm并具有4至5片真叶的幼苗转移至生根培养基中并在生根培养基中培养28d，其中，所述生根培养基是以1/2MS培养基为基本培养基并添加浓度为0.8mg/L的NAA；

(5)、炼苗与移栽：生根后的西瓜再生苗进行炼苗，炼苗时间为3d，炼苗后移栽到设施大棚管理。

优选地，其中，所述步骤(1)中，在超声波处理之前，西瓜种子先用清水浸种12h，之后在流水下搓洗10～15min，然后再进行超声波处理，且在超声波处理时温度波动控制在5℃之内。

优选地，其中，所述步骤(1)中，在超声波处理结束后先用清水浸种6h，然后再进行消毒处理，且消毒处理后用无菌水冲洗3至5次后再播种。

优选地，其中，所述步骤(1)中，播种采用的培养基为MS培养基、1/2MS培养基或B5培养基。

优选地，其中，所述步骤(1)中，播种采用的培养基为B5培养基。