[发明专利]一种西瓜离体培养方法

权利要求书

1.一种西瓜离体培养方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)、种子预处理及接种：选取籽粒饱满的西瓜种子进行超声波处理和消毒处理，然后播种到培养基中，其中，所述超声波处理为将西瓜种子放入40kHz超声波清洗器内进行超声波处理且超声波处理时间为15min，所述消毒处理为先用体积分数为75％的乙醇消毒30s，再用2.5％的次氯酸钠处理8min；

(2)、不定芽出芽诱导：待西瓜种子萌芽5～6d后，选取其子叶为材料进行诱导，其中，诱导条件为：外植体部位为子叶近胚轴，接种方向为切口向下，植物生长调节剂为6-BA和TDZ，且6-BA浓度为0.5mg/L，TDZ浓度为0.05mg/L；

(3)、不定芽增殖：取出诱导出不定芽的外植体，去除残留的培养基，切除老化以及与培养基接触的部位，接种于增殖培养基上进行增殖培养24d，其中，所述增殖培养基为在MS培养基上添加植物生长调节物质6-BA和NAA，并且，6-BA的浓度为0.8mg/L，NAA的浓度为0.08mg/L；

(4)、生根培养：将生长健壮的株高为3cm并具有4至5片真叶的幼苗转移至生根培养基中并在生根培养基中培养28d，其中，所述生根培养基是以1/2MS培养基为基本培养基并添加浓度为0.8mg/L的NAA；

(5)、炼苗与移栽：生根后的西瓜再生苗进行炼苗，炼苗时间为3d，炼苗后移栽到设施大棚管理。

2.根据权利要求1所述的西瓜离体培养方法，其特征在于，所述步骤(1)中，在超声波处理之前，西瓜种子先用清水浸种12h，之后在流水下搓洗10～15min，然后再进行超声波处理，且在超声波处理时温度波动控制在5℃之内。

3.根据权利要求2所述的西瓜离体培养方法，其特征在于，所述步骤(1)中，在超声波处理结束后先用清水浸种6h，然后再进行消毒处理，且消毒处理后用无菌水冲洗3至5次后再播种。

4.根据权利要求3所述的西瓜离体培养方法，其特征在于，所述步骤(1)中，播种采用的培养基为MS培养基、1/2MS培养基或B5培养基。

5.根据权利要求4所述的西瓜离体培养方法，其特征在于，所述步骤(1)中，播种采用的培养基为B5培养基。

6.根根权利要求5所述的西瓜离体培养方法，其特征在于，所述步骤(5)中，在进行炼苗时，先洗净生根后的西瓜再生苗的根部的生根培养基，然后使用体积分数为0.1-0.2％的高锰酸钾溶液对其进行消毒处理，之后移栽到已灭菌的生长基质中进行炼苗。

7.根据权利要求6所述的西瓜离体培养方法，其特征在于，所述步骤(5)中，在炼苗时，要放入人工培养箱中，温度保持在25±2℃，湿度为95％，光照强度为30μmol·m-2·s-1，光周期为12h/12h。

8.根据权利要求7所述的西瓜离体培养方法，其特征在于，所述步骤(5)中，在炼苗时，为防止水分流失，用塑料薄膜将生长基质遮住，并要进行通风透气，待植株缓苗后，揭去塑料薄膜，在有散射光的室内放置5-8天后，再移栽到设施大棚管理。