[发明专利]金属围坝的压膜方法以及由此制得的金属围坝和陶瓷基板有效
| 申请号： | 202110337264.6 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113192846B | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 王军;罗玉杰;于正国 | 申请（专利权）人： | 赛创电气（铜陵）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/13;H01L23/15;B32B37/06;B32B37/08;B32B37/10 |
| 代理公司： | 铜陵市嘉同知识产权代理事务所(普通合伙) 34186 | 代理人： | 吴晨亮 |
| 地址： | 244000 安徽省铜陵市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 方法 以及 由此 陶瓷 | ||
【权利要求书】：
1.金属围坝的压膜方法，其特征是：包括以下步骤：压膜层数为六层，第一层膜双面热压，第一层膜之外的膜分别进行单面冷压，形成六层以上的干膜；所述单面冷压的压力≤1kg，最后一层膜的正面线路朝下，对所述最后一层膜进行双面无干膜热压，所述双面热压的工艺参数为：线速1.0m/min，温度110℃，压力4kg/cm2，所述单面冷压的工艺参数为：线速1.0m/min，温度0℃，压力1kg/cm2，所述双面无干膜热压的工艺参数为：线速1.0m/min，温度110℃，压力4kg/cm2。
2.金属围坝，其特征是：所述金属围坝由权利要求1所述的金属围坝的压膜方法制备而成。
3.陶瓷基板，其特征是：所述陶瓷基板包括如权利要求2所述的金属围坝。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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