[发明专利]一种芯片针孔缺陷的检测方法

说明书

本发明实施例公开了一种芯片针孔缺陷的检测方法。该方法包括通过将被检测芯片浸泡于金属腐蚀液中进行检测；其中，所述芯片包括金属层和钝化层；若无腐蚀变色异常形貌，则通过将被检测芯片浸泡于缓冲氧化蚀刻剂中进行检测。本发明实施例提供的技术方案解决了现有的针孔缺陷的检测方法无法便捷的对没有从钝化层穿透到底下的金属层的针孔缺陷检测出的问题。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种芯片针孔缺陷的检测方法。

背景技术

在芯片制备过程中，如沉积、抛光、光刻等都会发生温度变化，芯片上的金属凸块的侧壁和芯片表面的钝化层会相互挤压，使得内部应力发生变化，从而钝化层会形成针孔、裂纹或脱落等缺陷，引起芯片内部的形变以及互联导线短路或开路，造成器件失效，在半导体晶圆制造中，必须准确检测钝化层(Passivation)是否存在针孔缺陷，以确保晶圆的良率。

现有的针孔缺陷的检测方法无法便捷的对没有从钝化层穿透到底下的金属层的针孔缺陷检测出的问题成为业内亟待解决的问题。

发明内容

本发明实施例提供一种芯片针孔缺陷的检测方法，以解决现有的针孔缺陷的检测方法无法便捷的对没有从钝化层穿透到底下的金属层的针孔缺陷检测出的问题。

为实现上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

本发明实施例提供了一种芯片针孔缺陷的检测方法，包括：

通过将被检测芯片浸泡于金属腐蚀液中进行检测；其中，所述芯片包括金属层和钝化层；

若无腐蚀变色异常形貌，则通过将被检测芯片浸泡于缓冲氧化蚀刻剂中进行检测。

进一步的，所述通过将被检测芯片浸泡于金属腐蚀液中进行检测，包括：

将被检测芯片浸泡于金属腐蚀液中，经第二时间段后取出；

对所述芯片的钝化层的腐蚀变色异常形貌进行判定。

进一步的，所述通过将被检测芯片浸泡于缓冲氧化蚀刻剂中进行检测，包括：

将被检测的芯片浸泡于缓冲氧化蚀刻剂中，经第一时间段后取出；

将被检测芯片浸泡于金属腐蚀液中，经第二时间段后取出；其中，所述第二时间段大于所述第一时间段；

对所述芯片的钝化层的腐蚀变色异常形貌进行判定。

进一步的，所述对所述芯片的钝化层的腐蚀变色异常形貌进行判定，包括：

通过高倍显微镜对被检测芯片的钝化层进行放大，追踪所述芯片的腐蚀变色异常形貌。

进一步的，在所述对所述芯片的钝化层的腐蚀变色异常形貌进行判定之前，还包括：

采用去离子水清洗并干燥所述被检测芯片。

进一步的，在所述将被检测芯片浸泡于金属腐蚀液中，经第二时间段后取出之后，还包括：

采用去离子水清洗并干燥所述被检测芯片。

进一步的，所述第一时间段为大于或等于20分钟；

所述第二时间段为4分钟。

进一步的，所述钝化层包括邻近所述金属层的第一无机层，以及设置于所述第一无机层远离所述金属层一侧的第二无机层；

所述第一无机层的材料包括二氧化硅、磷硅玻璃或硼磷硅玻璃中的一种或多种，所述第二无机层的材料包括氮化硅。

进一步的，所述缓冲氧化蚀刻剂包括氢氟酸和氟化铵的混合液。

进一步的，在所述通过将被检测芯片浸泡于金属腐蚀液中进行检测之前，还包括：