[发明专利]一种芯片针孔缺陷的检测方法

权利要求书

1.一种芯片针孔缺陷的检测方法，其特征在于，包括：

通过将被检测芯片浸泡于金属腐蚀液中进行检测；其中，所述芯片包括金属层和钝化层；

若无腐蚀变色异常形貌，则通过将被检测芯片浸泡于缓冲氧化蚀刻剂中进行检测。

2.根据权利要求1所述芯片针孔缺陷的检测方法，其特征在于，所述通过将被检测芯片浸泡于金属腐蚀液中进行检测，包括：

将被检测芯片浸泡于金属腐蚀液中，经第二时间段后取出；

对所述芯片的所述钝化层的腐蚀变色异常形貌进行判定。

3.根据权利要求1所述芯片针孔缺陷的检测方法，其特征在于，所述通过将被检测芯片浸泡于缓冲氧化蚀刻剂中进行检测，包括：

将被检测的芯片浸泡于缓冲氧化蚀刻剂中，经第一时间段后取出；

将被检测芯片浸泡于金属腐蚀液中，经第二时间段后取出；其中，所述第二时间段大于所述第一时间段；

对所述芯片的所述钝化层的腐蚀变色异常形貌进行判定。

4.根据权利要求2或3所述芯片针孔缺陷的检测方法，其特征在于，所述对所述芯片的所述钝化层的腐蚀变色异常形貌进行判定，包括：

通过高倍显微镜对被检测芯片的钝化层进行放大，追踪所述芯片的腐蚀变色异常形貌。

5.根据权利要求2或3所述芯片针孔缺陷的检测方法，其特征在于，在所述对所述芯片的所述钝化层的腐蚀变色异常形貌进行判定之前，还包括：

采用去离子水清洗并干燥所述被检测芯片。

6.根据权利要求3所述芯片针孔缺陷的检测方法，其特征在于，在所述将被检测芯片浸泡于金属腐蚀液中，经第二时间段后取出之后，还包括：

采用去离子水清洗并干燥所述被检测芯片。

7.根据权利要求3所述芯片针孔缺陷的检测方法，其特征在于，

所述第一时间段为大于或等于20分钟；

所述第二时间段为4分钟。

8.根据权利要求1所述芯片针孔缺陷的检测方法，其特征在于，

所述钝化层包括邻近所述金属层的第一无机层，以及设置于所述第一无机层远离所述金属层一侧的第二无机层；

所述第一无机层的材料包括二氧化硅、磷硅玻璃或硼磷硅玻璃中的一种或多种，所述第二无机层的材料包括氮化硅。

9.根据权利要求1所述芯片针孔缺陷的检测方法，其特征在于，

所述缓冲氧化蚀刻剂包括氢氟酸和氟化铵的混合液。

10.根据权利要求1所述芯片针孔缺陷的检测方法，其特征在于，在所述通过将被检测芯片浸泡于金属腐蚀液中进行检测之前，还包括：

对所述芯片进行取样。