[发明专利]一种硅基OLED微显示芯片结构及其增透方法

说明书

本发明公开了一种硅基OLED微显示芯片结构及其增透方法，其结构包括依次设置的硅基CMOS驱动电路层、OLED发光层、封装层以及覆盖玻璃层，覆盖玻璃层为减反射玻璃层，减反射玻璃层包括盖板玻璃和设在盖板玻璃上的增透膜，所述增透膜在盖板玻璃上单面或双面设置。增透方法，包括以下步骤：硅基CMOS驱动电路上蒸镀有机材料和阴极金属材料，构成OLED层，将蒸镀有有机材料和阴极金属材料的基板传递至薄膜封装设备，进行有机和无机薄膜封装，构成封装层；盖板玻璃和增透膜的材料复合形成增透AR玻璃；在封装层上覆盖增透AR玻璃。在盖板玻璃上形成抗反射膜层，大大降低了玻璃表面反射率，最高透光率将达到98％；从而使硅基OLED微显示器件具有低反射、高透过的优异性能。

技术领域

本发明涉及硅基OLED微显示技术领域，尤其是涉及一种硅基OLED微显示芯片结构及其增透方法。

背景技术

硅基OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)微显示器是一种将主动型发光器件OLED制作在硅基CMOS驱动电路基板上的一种新型显示技术，已广泛应用于机戴头盔、枪瞄、夜视仪等军用市场，并且在AR/VR市场的应用前景也极其广泛，被称为下一代显示技术的黑马。

常规的硅基OLED微显示器件结构主要包含硅基CMOS驱动电路、OLED发光结构，薄膜封装结构、盖板玻璃等结构；其中OLED发光结构包含阳极金属材料，OLED发光材料和阴极金属材料；阳极金属和阴极金属给OLED发光材料提供发光所需要的驱动电压，OLED发光材料发出的光透过阴极、薄膜封装和盖板玻璃，完成显示的效果。因此需要阴极为透明材料。阴极需要给OLED提供驱动电压，为了确保OLED发光的均一性，需要阴极材料的电阻尽可能小。目前常用的阴极材料有Ag和Mg/Ag合金。

阴极材料Ag或者Mg/Ag合金的厚度在纳米量级时，表现为高透过率的透明材料。但是Ag或者Mg/Ag合金，作为金属材料，仍具有部分金属特性，即较高的反射率；因此，以上结构的硅基OLED微显示器件，在较强的环境光氛围下，会表现出一定的反射特性，从而影响其显示效果，然而目前并没有解决发射特性的方案。

发明内容

针对现有技术不足，本发明是提供一种硅基OLED微显示芯片结构及其增透方法，其可有效增加硅基OLED微显示器件的透过率，减小其反射率。

为了解决上述技术问题，本发明所采用的技术方案为：

一种硅基OLED微显示芯片结构，包括依次设置的硅基CMOS驱动电路层、OLED发光层、封装层以及覆盖玻璃层，所述覆盖玻璃层为减反射玻璃层，减反射玻璃层包括盖板玻璃和设在盖板玻璃上的增透膜，所述增透膜在盖板玻璃上单面或双面设置。

所述盖板玻璃的两面上均设有单层增透膜，或盖板玻璃的两面上设有两层以上增透膜。

所述盖板玻璃上的单层增透膜厚度范围为50nm～500nm。

所述增透膜的材料为SiO、SiN、氟化镁、二氧化钛、Al2O3中的部分或全部。

所述盖板玻璃的上面或下面上设有单层增透膜。

所述盖板玻璃的上面或下面上设有两层以上增透膜。

一种所述硅基OLED微显示芯片结构的增透方法，包括以下步骤：

硅基CMOS驱动电路上蒸镀有机材料和阴极金属材料，构成OLED层，将蒸镀有有机材料和阴极金属材料的基板传递至薄膜封装设备，进行有机和无机薄膜封装，构成封装层；

盖板玻璃和增透膜的材料复合形成增透AR玻璃；

在封装层上覆盖增透AR玻璃。

所述增透膜的材料采用浸镀或磁控溅射或蒸镀方式在超白玻璃一面或两个面上形成抗反射膜层。

本发明与现有技术相比，具有以下优点：