[发明专利]一种硅基OLED微显示芯片结构及其增透方法在审
| 申请号： | 202110335576.3 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113097415A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 冯军龙;乔辉;叶成;祖伟;刘胜芳;赵峥涛 | 申请（专利权）人： | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 张永生 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市芜湖长江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 oled 显示 芯片 结构 及其 方法 | ||
1.一种硅基OLED微显示芯片结构，包括依次设置的硅基CMOS驱动电路层、OLED发光层、封装层以及覆盖玻璃层，其特征在于：所述覆盖玻璃层为减反射玻璃层，减反射玻璃层包括盖板玻璃和设在盖板玻璃上的增透膜，所述增透膜在盖板玻璃上单面或双面设置。
2.如权利要求1所述硅基OLED微显示芯片结构，其特征在于：所述盖板玻璃的两面上均设有单层增透膜，或盖板玻璃的两面上设有两层以上增透膜。
3.如权利要求1所述硅基OLED微显示芯片结构，其特征在于：所述盖板玻璃上的单层增透膜厚度范围为50nm～500nm。
4.如权利要求1所述硅基OLED微显示芯片结构，其特征在于：所述增透膜的材料为SiO、SiN、氟化镁、二氧化钛、Al2O3中的部分或全部。
5.如权利要求1所述硅基OLED微显示芯片结构，其特征在于：所述盖板玻璃的上面或下面上设有单层增透膜。
6.如权利要求1所述硅基OLED微显示芯片结构，其特征在于：所述盖板玻璃的上面或下面上设有两层以上增透膜。
7.一种如权利要求1至6任一项所述硅基OLED微显示芯片结构的增透方法，其特征在于：所述增透方法包括以下步骤：
硅基CMOS驱动电路上蒸镀有机材料和阴极金属材料，构成OLED层，将蒸镀有有机材料和阴极金属材料的基板传递至薄膜封装设备，进行有机和无机薄膜封装，构成封装层；
盖板玻璃和增透膜的材料复合形成增透AR玻璃；
在封装层上覆盖增透AR玻璃。
8.如权利要求7所述增透方法，其特征在于：所述增透膜的材料采用浸镀或磁控溅射或蒸镀方式在超白玻璃一面或两个面上形成抗反射膜层。
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