[发明专利]一种静态参数测试系统、方法、电子设备及存储介质

说明书

本申请涉及一种静态参数测试系统、方法、电子设备及存储介质，系统包括：第一测量模块、第二测量模块、第三测量模块、第四测量模块、第五测量模块、第六测量模块中的至少一种测量模块，所述第一测量模块、第二测量模块、第三测量模块、第四测量模块、第五测量模块、第六测量模块通过切换模块与测量夹具相连接，所述第一测量模块、第二测量模块、第三测量模块、第四测量模块、第五测量模块、第六测量模块之间通过总线相连接；以解决现有技术中，针对固态微波功率器件静态参数测量系统，测量结果不准确、测试系统结构复杂、体积大、质量重的问题。

技术领域

本发明涉及测试测量领域，特别是涉及一种静态参数测试系统、方法、电子设备及存储介质。

背景技术

目前，传统Si和GaAs半导体器件性能已接近其材料本身决定的理论极限，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)宽禁带等半导体材料因具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优点，成为研制大功率、高频、高温及抗辐照电子器件的理想材料。GaN材料系列具有低热产生率及高击穿电场，适于研制抗辐照、高频、高密度集成电子器件。半绝缘SiC单晶材料以其宽带隙、高饱和漂移速率、高临界击穿电场、高热导率成为制备制备宽禁带固态微波器件的最佳衬底。

以GaAs、GaN、SiC材料为衬底的固态微波功率器件，较传统的耗尽型器件(如JFET器件)具有一定的特殊性，主要应用领域为射频、微波领域，由于材料工艺机理存在缺陷，比如具有电流坍塌效应、自加热效应、极化效应和热电子效应等，导致GaAs、GaN、SiC器件制备工艺复杂、周期长且价格昂贵。

静态参数是表征固态微波功率器件直流特性的参数，是其基础质量的保证。根据国内外典型器件手册可知，静态参数主要包括：栅极和源极之间夹断电压VGSoff、栅极和源极之间的漏电流IGSS、漏极饱和电流IDSS、跨导 gm等。

国内固态微波功率器件静态参数测试偏置脉冲电流幅值达到10A以上，脉冲宽度为300μs～1ms，目前器件研制单位、使用单位均自行制定测试方案，个别单位甚至使用直流条件替代脉冲条件进行测量，使用已有设备包括：图示仪、半导体器件IV测量系统等，由于器件材料自身存在电流坍塌效应、自加热效应、极化效应和热电子效应等，静态参数测量过程中，容易产生自激，测量结果差异很大，甚至有的单位测量结果不正确；测试系统构成复杂、体积大、质量重，不便于使用，因此市场急需一种专门用于固态微波器件静态参数测量的设备。

现有技术中，针对固态微波功率器件静态参数测量系统，测量结果差异大，测量结果不准确、测试系统结构复杂、体积大、质量重的问题，现尚未提出有效解决方案。

发明内容

针对以上技术问题，本申请提出一种静态参数测试系统、方法、电子设备及存储介质，以解决现有技术中，针对固态微波功率器件静态参数测量系统，测量结果差异大，测量结果不准确、测试系统结构复杂、体积大、质量重的问题。

第一方面，本申请提出一种静态参数测试系统，用于测量固态微波功率器件的静态参数，包括：第一测量模块、第二测量模块、第三测量模块、第四测量模块、第五测量模块、第六测量模块中的至少一种测量模块，所述第一测量模块、第二测量模块、第三测量模块、第四测量模块、第五测量模块、第六测量模块通过切换模块与测量夹具相连接，所述第一测量模块、第二测量模块、第三测量模块、第四测量模块、第五测量模块、第六测量模块之间通过总线相连接；

所述第一测量模块，用于为固态微波功率器件静态参数测量提供正负双极性电压输出或电压测量、电流输出或电流测量功能；

所述第二测量模块，用于为固态微波功率器件静态参数测量提供直流电压输出或直流电流测量功能；

所述第三测量模块，用于为固态微波功率器件静态参数提供漏极电流输出或漏极电压测量功能；

所述第四测量模块，用于为固态微波功率器件静态参数中提供耐压参数漏电流测量功能；