[发明专利]一种联苯修饰咔唑基团的蒽基深蓝光材料及其制备与应用

说明书

本发明属于蓝光电致发光材料的技术领域，公开了一种联苯修饰咔唑基团的蒽基深蓝光材料及其制备与应用。所述联苯修饰咔唑基团的蒽基深蓝光材料的结构式为式I，其中，R₁、R₂相同或不同，R₁、R₂独自为联苯基团或H，且R₁、R₂不同时为H。本发明还公开了联苯修饰咔唑基团的蒽基深蓝光材料的制备方法。本发明的联苯修饰咔唑基团的蒽基深蓝光材料具有良好的热稳定性、薄膜形貌稳定性，以及易合成纯化等特点；本发明的联苯修饰咔唑基团的蒽蓝光材料用于制备有机电致发光器件，尤其用于作为主体材料制备高效率、低效率滚降的有机电致发光器件。

技术领域

本发明属于蓝光电致发光材料的技术领域，涉及有机分子蓝光电致发光材料，具体涉及一种联苯修饰咔唑基团的蒽基深蓝光材料及其制备方法与应用。本发明的蒽基深蓝光材料在电致发光器件中的应用。

背景技术

有机发光二极管(OLEDs)因其具有自发光、响应速度快、驱动电压低、低能耗以及可制备柔性器件等优势，正引领信息显示与照明技术的发展。相对于红光、绿光OLED，目前蓝光OLED的研究相对滞后。设计高效率、高稳定蓝光电致发光材料，进而制备性能佳的蓝光OLED器件，对于实现高质量的全色显示和高效率白光发射具有重要意义。

蓝光材料可分为传统蓝光荧光材料、蓝光磷光材料、TADF(热活化延迟荧光)型蓝光材料和TTA(三重态-三重态湮灭)型蓝光荧光材料。传统蓝光荧光材料仅利用单重态激子，电致发光内量子效率一般为25％；蓝光磷光材料以及TADF型蓝光材料可利用单重态和三重态激子，电致发光内量子效率可达100％，但其较长的三重态激子寿命与高三重态能级，不利于获得高稳定、高效率OLED器件。相比而言，TTA型蓝光荧光材料，即两个三重态激子复合形成一个单重态，因而电致发光内量子效率可达62.5％，远超荧光材料的25％。并且在高电流密度下，三线态激子的密度增加反而促进三线态激子相互碰撞复合的几率，可降低器件效率滚降。另外，其三重态能级较低，有利于得到高稳定性深蓝光电致发光器件。因此，设计合成TTA型荧光材料具有重要的理论与实际意义。

如何设计出稳定性高、效率滚降低并能通过蒸镀和/或溶液加工制备OLED器件的TTA型蓝光材料，成为人们需要解决的问题之一。

发明内容

为了克服现有技术的缺点和不足，本发明的目的在于提供一种联苯修饰咔唑基团的蒽基深蓝光材料。本发明的联苯修饰咔唑基团的蒽基深蓝光材料以咔唑桥联蒽基为核，在咔唑基团端点引入联苯基团，具有高玻璃化温度(T_g为209℃)；且增加了空间位阻，有利于其作为主体材料时客体材料的有效分散(即有利于本发明的深蓝光材料与客体蓝光分子的分散特性)及主客体材料之间的激子能量转移(即本发明的深蓝光材料与客体蓝光分子间的激子能量转移)。空间位阻的增大有利于改善分子堆积，有利于蓝光材料在高电流密度下降低效率滚降。

本发明的另一目的在于提供上述联苯修饰咔唑基团的蒽基深蓝光材料的制备方法。

本发明的再一目的在于提供上述联苯修饰咔唑基团的蒽基深蓝光材料的应用。所述蒽基深蓝光材料在电致发光器件中的应用，特别是作为发光层的主体材料在掺杂型电致发光器件中的应用。本发明的蒽基深蓝光材料可用于蒸镀或溶液加工有机发光二极管的蓝光发光层。

为达到上述发明目的，本发明采用了如下技术方案：

一种联苯修饰咔唑基团的蒽基深蓝光材料，其结构式为式I：

其中，R₁、R₂相同或不同，R₁、R₂独自为联苯基团或H，且R₁、R₂不同时为H；/指代取代基在咔唑上的不同连接位点，包括咔唑上1位、2位、3位、4位、5位、6位、7位、8位；

所述联苯基为