[发明专利]一种半导体器件的制备方法

说明书

本申请提供一种半导体器件的制备方法，涉及半导体制备工艺技术领域，该方法包括在晶圆上覆盖非感光物质层；在非感光物质层上覆盖感光物质层；通过一次构图工艺在感光物质层和非感光物质层上形成预设图案以露出晶圆表面，其中，在感光物质层上形成有第一开口，在非感光物质层上形成有第二开口，且第一开口的口径小于第二开口的口径；在露出的晶圆上形成第一深度槽；在第一深度槽的槽底形成第二深度槽，其中，第二深度槽的宽度小于等于第一深度槽的宽度；去除晶圆上剩余的非感光物质层和感光物质层。仅通过一次构图工艺即可形成，节省了光刻步骤，减少了去掉光刻胶的步骤，通过减少光刻次数，提高了制备效率。

技术领域

本申请涉及半导体制备工艺技术领域，具体涉及一种半导体器件的制备方法。

背景技术

光刻是半导体器件制备时常应用的工艺，属于平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺，一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序，可见光刻工艺流程较复杂，需要经过很多步骤才能完成一次光刻。对于半导体器件中要形成复杂的图案来说，有时候需要光刻两次以上，才能得到最终的图案，这样一来，光刻工艺就使得半导体器件制备的时间长，制备效率低。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种半导体器件的制备方法，能够减少光刻的次数，提高制备效率。

本申请实施例的一方面，提供了一种半导体器件的制备方法，包括在晶圆上覆盖非感光物质层；在非感光物质层上覆盖感光物质层；通过一次构图工艺在感光物质层和非感光物质层上形成预设图案以露出晶圆表面，其中，在感光物质层上形成有第一开口，在非感光物质层上形成有第二开口，且第一开口的口径小于第二开口的口径；在露出的晶圆上形成第一深度槽；在第一深度槽的槽底形成第二深度槽，其中，第二深度槽的宽度小于等于第一深度槽的宽度；去除晶圆上剩余的非感光物质层和感光物质层。

可选地，在晶圆上覆盖非感光物质层包括：在晶圆上旋涂抗蚀剂以形成0.4um～0.6um厚度的非感光物质层。

可选地，在非感光物质层上覆盖感光物质层包括：在非感光物质层上旋涂光刻胶以形成1um～2um厚度的感光物质层。

可选地，通过一次构图工艺在感光物质层和非感光物质层上形成预设图案以露出晶圆表面，其中，在感光物质层上形成有第一开口，在非感光物质层上形成有第二开口，且第一开口的口径小于第二开口的口径包括：对感光物质层曝光、显影，在感光物质层上形成第一开口；以第一开口作为窗口，对非感光物质层腐蚀，以在非感光物质层上形成第二开口。

可选地，在露出的晶圆上形成第一深度槽包括：通过第一开口和第二开口腐蚀晶圆表面第一深度，以得到第一深度槽，第一深度槽的宽度等于第二开口的口径，且第一深度槽满足关系式：D2- D1≥h1+h2；其中，D1为第一开口的口径，D2位第二开口的口径，h1为非感光物质层的厚度，h2为第一深度槽的深度。

可选地，感光物质层的厚度与非感光物质层的厚度满足关系式：h3≥3（h1+h2）；其中，h3为感光物质层的厚度。

可选地，在第一深度槽的槽底形成第二深度槽，其中，第二深度槽的宽度小于等于第一深度槽的宽度包括：烘烤感光物质层，软化的感光物质层的部分感光物质回流至第一深度槽内，以覆盖第一深度槽的槽壁和部分槽底；对覆盖有部分感光物质的第一深度槽刻蚀第二深度，得到第二深度槽。

可选地，烘烤感光物质层，软化的感光物质层的部分感光物质回流至第一深度槽内，以覆盖第一深度槽的槽壁和部分槽底包括：采用140℃～150℃恒温对感光物质层烘烤20min～30min；再采用180℃～190℃恒温对感光物质层烘烤20min～40min。

可选地，在露出的晶圆上形成第一深度槽包括：通过第一开口和第二开口干法刻蚀晶圆表面第一深度，以得到第一深度槽，且第一深度槽的宽度等于第一开口的口径。