[发明专利]一种半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

在晶圆上覆盖非感光物质层；

在所述非感光物质层上覆盖感光物质层；

通过一次构图工艺在所述感光物质层和所述非感光物质层上形成预设图案以露出所述晶圆表面，其中，在所述感光物质层上形成有第一开口，在所述非感光物质层上形成有第二开口，且所述第一开口的口径小于所述第二开口的口径；

在露出的所述晶圆上形成第一深度槽；

在所述第一深度槽的槽底形成第二深度槽，其中，所述第二深度槽的宽度小于等于所述第一深度槽的宽度；

去除所述晶圆上剩余的所述非感光物质层和所述感光物质层；

所述在露出的所述晶圆上形成第一深度槽包括：

通过所述第一开口和所述第二开口腐蚀所述晶圆表面第一深度，以得到所述第一深度槽，所述第一深度槽的宽度等于所述第二开口的口径，且所述第一深度槽满足关系式：

D2- D1≥h1+h2；

其中，D1为所述第一开口的口径，D2为所述第二开口的口径，h1为所述非感光物质层的厚度，h2为所述第一深度槽的深度；

所述在所述第一深度槽的槽底形成第二深度槽，其中，所述第二深度槽的宽度小于等于所述第一深度槽的宽度包括：

烘烤所述感光物质层，软化的所述感光物质层的部分感光物质回流至所述第一深度槽内，以覆盖所述第一深度槽的槽壁和部分槽底；

对覆盖有所述部分感光物质的所述第一深度槽刻蚀第二深度，得到所述第二深度槽；

所述烘烤所述感光物质层，软化的所述感光物质层的部分感光物质回流至所述第一深度槽内，以覆盖所述第一深度槽的槽壁和部分槽底包括：

采用140℃～150℃恒温对所述感光物质层烘烤20min～30min；

采用180℃～190℃恒温对所述感光物质层烘烤20min～40min。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在晶圆上覆盖非感光物质层包括：

在所述晶圆上旋涂抗蚀剂以形成0.4um～0.6um厚度的所述非感光物质层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在所述非感光物质层上覆盖感光物质层包括：

在所述非感光物质层上旋涂光刻胶以形成1um～2um厚度的所述感光物质层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述通过一次构图工艺在所述感光物质层和所述非感光物质层上形成预设图案以露出所述晶圆表面，其中，在所述感光物质层上形成有第一开口，在所述非感光物质层上形成有第二开口，且所述第一开口的口径小于所述第二开口的口径包括：

对所述感光物质层曝光、显影，在所述感光物质层上形成所述第一开口；

以所述第一开口作为窗口，对所述非感光物质层腐蚀，以在所述非感光物质层上形成所述第二开口。

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述感光物质层的厚度与所述非感光物质层的厚度满足关系式：

h3≥3（h1+h2）；

其中，h3为所述感光物质层的厚度。