[发明专利]半导体装置制造用片及半导体装置制造用片的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置制造用片，其具备基材、第一粘着剂层、膜状粘合剂、剥离膜、第二粘着剂层及支撑基材，且通过在所述基材上依次层叠所述第一粘着剂层、所述膜状粘合剂、所述剥离膜、所述第二粘着剂层及所述支撑基材而构成，

具有依次层叠有所述剥离膜、所述第二粘着剂层及所述支撑基材的结构的复合剥离膜的厚度大于38μm。

2.根据权利要求1所述的半导体装置制造用片，其中，在所述复合剥离膜上，自层叠有所述膜状粘合剂的一侧的面形成有切口部，

所述切口部的切口深度大于25μm。

3.根据权利要求2所述的半导体装置制造用片，其中，以所述复合剥离膜的厚度-所述切口深度表示的未切部的厚度的值为10μm以上。

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置制造用片，其中，所述剥离膜及所述第二粘着剂层的总厚度的值大于所述切口深度的值。

5.根据权利要求2～4中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，在所述支撑基材上未形成所述切口部。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，所述第二粘着剂层的厚度为2μm以上。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，在所述第一粘着剂层与所述膜状粘合剂之间层叠有中间层。

8.根据权利要求7所述的半导体装置制造用片，其中，所述中间层的面积和所述膜状粘合剂的面积均小于比所述中间层和所述膜状粘合剂更靠近基材侧的层的至少一个面的面积。

9.根据权利要求7或8所述的半导体装置制造用片，其中，所述中间层及所述膜状粘合剂的总厚度为15μm以上。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，所述支撑基材的厚度为12μm以上。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，所述复合剥离膜的厚度为130μm以下。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的半导体装置制造用片，其为以在长条状的所述复合剥离膜上层叠所述基材、所述第一粘着剂层及所述膜状粘合剂，并将所述基材、所述第一粘着剂层及所述膜状粘合剂作为内侧的方式被卷绕成卷的卷体。

13.一种半导体装置制造用片的制造方法，其为制造权利要求1～12中任一项所述的半导体装置制造用片的方法，其包括：

层叠所述基材及所述第一粘着剂层，得到第一中间层叠体；

依次层叠所述膜状粘合剂、所述剥离膜、所述第二粘着剂层及所述支撑基材，得到第二中间层叠体；

将所述第一中间层叠体与所述第二中间层叠体贴合。