[发明专利]一种蒸发源

说明书

本发明实施例提供一种蒸发源，该蒸发源包括坩埚、加热丝和多个半导体制冷片；所述加热丝围绕所述坩埚分布，多个所述半导体制冷片设置于所述加热丝远离所述坩埚的一侧，且多个所述半导体制冷片沿环绕所述坩埚的方向依次排列；每一所述半导体制冷片包括冷端和热端，所述冷端用于制冷，所述热端用于制热；所述半导体制冷片包括第一制冷片和第二制冷片，所述第一制冷片的冷端设置于邻近所述坩埚的一侧，所述第二制冷片的热端设置于邻近所述坩埚的一侧。本发明实施例提供的蒸发源，能够提高蒸发源的升温速率和降温速率。

技术领域

本发明涉及蒸镀机领域，特别是涉及一种蒸发源。

背景技术

目前，在微显示及面板行业使用的蒸镀机的蒸发源结构几乎大同小异，图1为现有技术中的一种蒸发源的俯视结构示意图，参考图1，都是由坩埚11、加热丝12、反射板13、冷却水14和外廓15等部件组成。该蒸发源虽然满足工艺需求，但是该蒸发源的缺点就是降温速度比较慢，近似于真空下自然冷却。

发明内容

本发明实施例提供的蒸发源，能够提高蒸发源的升温速率和降温速率。

本发明实施例提供一种蒸发源，该蒸发源包括坩埚、加热丝和多个半导体制冷片；所述加热丝围绕所述坩埚分布，多个所述半导体制冷片设置于所述加热丝远离所述坩埚的一侧，且多个所述半导体制冷片沿环绕所述坩埚的方向依次排列；每一所述半导体制冷片包括冷端和热端，所述冷端用于制冷，所述热端用于制热；所述半导体制冷片包括第一制冷片和第二制冷片，所述第一制冷片的冷端设置于邻近所述坩埚的一侧，所述第二制冷片的热端设置于邻近所述坩埚的一侧。

可选的，沿环绕所述坩埚的方向所述第一制冷片和所述第二制冷片间隔分布。

可选的，多个所述第一制冷片沿环绕所述坩埚的方向均匀分布，多个所述第二制冷片沿环绕所述坩埚的方向均匀分布。可选的，本发明实施例提供的蒸发源还包括：控制模块和电源模块，所述电源模块分别与所述第一制冷片和所述第二制冷片连接；所述控制模块用于根据所述蒸发源的工作状态控制所述电源模块为所述第一制冷片供电或控制所述电源模块为所述第二制冷片供电。

可选的，所述控制模块用于在所述蒸发源处于升温状态时，控制所述电源模块为所述第二制冷片供电，在所述蒸发源处于降温状态时，控制所述电源模块为所述第一制冷片供电。

可选的，所述第一制冷片和所述第二制冷片均包括第一绝缘层，设置于所述第一绝缘层上的多个N型半导体结构和多个P型半导体结构，以及设置于多个N型半导体结构和多个P型半导体结构远离所述第一绝缘层一侧的第二绝缘层；

所述N型半导体结构和所述P型半导体结构依次间隔设置；第一个所述N型半导体结构的第一端与所述电源模块的正极连接，最后一个所述P型半导体结构的第一端与所述电源模块的负极连接；第一个所述N型半导体结构的第二端与第一个所述P型半导体结构的第二端连接；

第k个所述N型半导体结构的第一端与第k-1个所述P型半导体结构的第一端连接，第k个所述N型半导体结构的第二端与第k个所述P型半导体结构的第二端连接，其中，k≥2，k为正整数；

所述第一制冷片的所述第一绝缘层靠近所述坩埚；

所述第二制冷片的所述第二绝缘层靠近所述坩埚。

可选的，所述N型半导体结构和所述P型半导体结构通过金属结构连接。

可选的，在所述坩埚的深度方向上，所述第一制冷片的尺寸和所述第二制冷片的尺寸大于或等于所述坩埚的尺寸。

可选的，本发明实施例提供的还包括：设置于所述半导体制冷片远离所述加热丝一侧的外廓层。

可选的，所述坩埚为圆柱形或者所述坩埚为长方体形。