[发明专利]一种蒸发源

权利要求书

1.一种蒸发源，其特征在于，包括坩埚、加热丝和多个半导体制冷片；

所述加热丝围绕所述坩埚分布，多个所述半导体制冷片设置于所述加热丝远离所述坩埚的一侧，且多个所述半导体制冷片沿环绕所述坩埚的方向依次排列；

每一所述半导体制冷片包括冷端和热端，所述冷端用于制冷，所述热端用于制热；所述半导体制冷片包括第一制冷片和第二制冷片，所述第一制冷片的冷端设置于邻近所述坩埚的一侧，所述第二制冷片的热端设置于邻近所述坩埚的一侧；

沿环绕所述坩埚的方向所述第一制冷片和所述第二制冷片间隔分布，多个所述第一制冷片沿环绕所述坩埚的方向均匀分布，多个所述第二制冷片沿环绕所述坩埚的方向均匀分布。

2.根据权利要求1所述的蒸发源，其特征在于，还包括：

控制模块和电源模块，所述电源模块分别与所述第一制冷片和所述第二制冷片连接；所述控制模块用于根据所述蒸发源的工作状态控制所述电源模块为所述第一制冷片供电或控制所述电源模块为所述第二制冷片供电。

3.根据权利要求2所述的蒸发源，其特征在于：

所述控制模块用于在所述蒸发源处于升温状态时，控制所述电源模块为所述第二制冷片供电，在所述蒸发源处于降温状态时，控制所述电源模块为所述第一制冷片供电。

4.根据权利要求2所述的蒸发源，其特征在于：

所述第一制冷片和所述第二制冷片均包括第一绝缘层，设置于所述第一绝缘层上的多个N型半导体结构和多个P型半导体结构，以及设置于多个N型半导体结构和多个P型半导体结构远离所述第一绝缘层一侧的第二绝缘层；

所述N型半导体结构和所述P型半导体结构依次间隔设置；第一个所述N型半导体结构的第一端与所述电源模块的正极连接，最后一个所述P型半导体结构的第一端与所述电源模块的负极连接；第一个所述N型半导体结构的第二端与第一个所述P型半导体结构的第二端连接；

第k个所述N型半导体结构的第一端与第k-1个所述P型半导体结构的第一端连接，第k个所述N型半导体结构的第二端与第k个所述P型半导体结构的第二端连接，其中，k≥2，k为正整数；

所述第一制冷片的所述第一绝缘层靠近所述坩埚；

所述第二制冷片的所述第二绝缘层靠近所述坩埚。

5.根据权利要求4所述的蒸发源，其特征在于：

所述N型半导体结构和所述P型半导体结构通过金属结构连接。

6.根据权利要求1所述的蒸发源，其特征在于：

在所述坩埚的深度方向上，所述第一制冷片的尺寸和所述第二制冷片的尺寸大于或等于所述坩埚的尺寸。

7.根据权利要求1所述的蒸发源，其特征在于，还包括：

设置于所述半导体制冷片远离所述加热丝一侧的外廓层。

8.根据权利要求1所述的蒸发源，其特征在于：

所述坩埚为圆柱形或者所述坩埚为长方体形。