[发明专利]一种石墨舟饱和工艺

说明书

本发明公开一种石墨舟饱和工艺：(1)用氢氟酸去除石墨舟表面氮化硅；(2)用纯水漂洗石墨舟；(3)使用热水对石墨舟表面进行预脱水；(4)在烘干槽内先通入低温气流对石墨舟预烘干，再通入高温气流彻底烘干；(5)将炉管升温预热，用CDA对饱和炉管吹扫，将待饱和的石墨舟置于炉管内，关闭炉门；(6)炉管继续升温，并通入氮气；(7)将炉管抽真空，测试炉管漏率，测漏后再抽真空；(8)通入氨气，开放射频功率，对石墨舟第一次预处理；(9)通入氨气和硅烷，打开射频电源，使用PECVD对所述石墨舟表面进行饱和处理；(10)通入氨气，打开射频电源，对石墨舟后处理；(11)抽真空，通入氮气将炉管恢复到常压；(12)取出饱和好的石墨舟。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种石墨舟饱和工艺。

背景技术

随着社会的发展，能源已经成为两大不可逃避的话题，太阳能电池作为作为当下最重要的能能源之一，其重要工序PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法)是硅太阳能电池制造工艺中不可缺少的一部分，随着PECVD技术的不断改进，管式PECVD在提高太阳能电池的效率上有了显著提高。而石墨舟饱和效果的好坏，在相当大的程度上，影响了管式PECVD的镀膜效果。饱和工艺的好坏决定了石墨舟的状态，石墨舟状态较差将会导致色差片增多，严重制约了产能及效益。现有技术中，石墨舟的饱和工艺采用在硅烷和氨气反应下饱和3小时，在饱和前和饱和后未对石墨舟进行有效处理，卡点位置容易残留杂质，严重制约石墨舟饱和效果和饱和后的状态。

发明内容

本发明的目的在于提供一种石墨舟饱和工艺，本发明的工艺使其表面氮化硅均匀性更好，有利于正常生产时石墨舟表面导热以及导电的均匀性，增加了石墨舟的使用寿命。

本发明是通过如下技术方案实现的：

一种石墨舟饱和工艺，该工艺依次包括如下步骤：

(1)去除旧石墨舟表面及卡点位置氮化硅：使用氢氟酸清洗去除石墨舟片表面及卡点位置的氮化硅；

(2)水洗：使用纯水对所述石墨舟片进行漂洗，去除所述石墨舟片上的酸残留；用纯水漂洗3-5次，每次漂洗1-3小时；

(3)慢提拉：使用热水对所述石墨舟表面进行预脱水；

(4)梯度烘干：在烘干槽内先通入大量低温气流对所述石墨舟表面进行预烘干，然后再将所述石墨舟置于烘箱内，通入大量高温气流进行彻底烘干；先低温烘干后再将表面无残留液体的石墨舟放入烘箱内进行高温彻底烘干；

(5)饱和炉管处理：将炉管升温预热，并使用CDA对饱和炉管进行吹扫，然后将待饱和的石墨舟置于所述炉管内，关闭炉门；

(6)升温：将所述炉管继续升温，并通入氮气进行吹扫；具体的升温过程中通入氮气为了增加炉管内热量交换，使石墨舟受热更均匀，有利于镀舟过程中氮化硅的均匀性；

(7)炉管测漏：将所述炉管抽成真空状态，测试炉管漏率，测漏后再将炉管抽成真空状态；具体的测漏时间在80-200s，测漏是为了防止反应过程中混入空气；测漏时会有空气进入炉内，测漏后再次抽真空，去除测漏过程中炉管内残留的气体；

(8)第一次预处理：向抽成真空状态的所述炉管内通入氨气，开放射频功率，对所述石墨舟表面进行第一次预处理；通过第一次预处理清洗石墨舟及卡点位置的部分残留；

(9)饱和：通入氨气和硅烷，打开射频电源，使用PECVD对所述石墨舟表面进行饱和处理，沉积氮化硅；

(10)后处理：沉积完氮化硅后，再次通入氨气，打开射频电源，对所述石墨舟表面进行后处理；所述的后处理相当于第二次预处理，可以清理反应残留；