[发明专利]一种石墨舟饱和工艺

权利要求书

1.一种石墨舟饱和工艺，其特征在于，该工艺包括如下步骤：

(1)去除旧石墨舟表面及卡点位置氮化硅：使用氢氟酸清洗去除石墨舟片表面及卡点位置的氮化硅；

(2)水洗：使用纯水对所述石墨舟片进行漂洗，去除所述石墨舟片上的酸残留；

(3)慢提拉：使用热水对所述石墨舟表面进行预脱水；

(4)梯度烘干：在烘干槽内先通入低温气流对所述石墨舟表面进行预烘干，然后再将所述石墨舟置于烘箱内，通入高温气流进行彻底烘干；

(5)饱和炉管处理：将炉管升温预热，并使用CDA对饱和炉管进行吹扫，然后将待饱和的石墨舟置于所述炉管内，关闭炉门；

(6)升温：将所述炉管继续升温，并通入氮气进行吹扫；

(7)炉管测漏：将所述炉管抽成真空状态，测试炉管漏率，测漏后再将炉管抽成真空状态；

(8)第一次预处理：向抽成真空状态的所述炉管内通入氨气，开放射频功率，对所述石墨舟表面进行第一次预处理；

(9)饱和：通入氨气和硅烷，打开射频电源，使用PECVD对所述石墨舟表面进行饱和处理，沉积氮化硅；

(10)后处理：沉积完氮化硅后，再次通入氨气，打开射频电源，对所述石墨舟表面进行后处理；

(11)抽真空、回压：后处理完成后，将所述炉管抽成真空状态，然后通入氮气，将炉管压力恢复到常压；

(12)出舟：打开炉门，取出饱和好的石墨舟。

2.根据权利要求1所述的一种石墨舟饱和工艺，其特征在于，步骤(1)中所述氢氟酸的浓度为20-25wt％；清洗时间为2-4小时。

3.根据权利要求1所述的一种石墨舟饱和工艺，其特征在于，步骤(3)慢提拉：使用40-60℃的水对所述石墨舟表面进行预脱水。

4.根据权利要求1所述的一种石墨舟饱和工艺，其特征在于，步骤(4)梯度烘干：在烘干槽内先通入60-90℃的气流对所述石墨舟表面进行预烘干，然后再将所述石墨舟置于烘箱内，通入120-160℃气流进行彻底烘干。

5.根据权利要求1所述的一种石墨舟饱和工艺，其特征在于，步骤(5)饱和炉管处理：将炉管升温至400-450℃预热，然后使用18000-20000sccm的CDA对饱和炉管进行吹扫，然后将待饱和的石墨舟置于所述炉管内，关闭炉门。

6.根据权利要求5所述的一种石墨舟饱和工艺，其特征在于，步骤(6)升温：将所述炉管继续升温至480-500℃，并通入2000sccm的氮气，压力为10000mTorr,升温速率为1-5℃/min。

7.根据权利要求1所述的一种石墨舟饱和工艺，其特征在于，步骤(8)第一次预处理：向抽成真空状态的炉管内通入6500sccm流量的氨气，通入时间为30s；开放射频功率，射频功率为8500W，射频开放时间50ms，关闭时间450ms，开放次数400次，步骤时间200s；对所述石墨舟表面进行第一次预处理。

8.根据权利要求1所述的一种石墨舟饱和工艺，其特征在于，步骤(9)中所述氨气的流量为7000±100sccm，硅烷的流量为700±50sccm，压力为2000±50mTorr；射频功率为8500±1000W，射频开放时间50ms，关闭时间450ms，开放次数16000次，步骤时间为8000s。

9.根据权利要求1所述的一种石墨舟饱和工艺，其特征在于，步骤(10)所述氨气的流量为6500±100sccm，压力为2000±50mTorr；射频功率为8500±1000W，射频开放时间50ms，关闭时间450ms，开放次数400次，步骤时间200ss。

10.根据权利要求1所述的一种石墨舟饱和工艺，其特征在于，步骤(11)通入20000sccm流量的氮气。