[发明专利]芯片封装件的制造方法

说明书

本发明的实施例涉及芯片封装件的制造方法。在一个实施例中，用于形成芯片封装件的方法，包括：将至少一个第一管芯放置在载体上方，所述至少一个第一管芯具有背向所述载体的多个第一接触焊盘；在所述多个第一接触焊盘的至少一个外围的接触焊盘上方形成至少一个导电柱；在所述至少一个第一管芯上方且横向邻近所述至少一个导电柱放置至少一个第二管芯，所述至少一个第二管芯具有背向所述载体的多个第二接触焊盘；将所述至少一个第一管芯、所述至少一个第二管芯和所述至少一个导电柱封装在模塑料中；以及在所述模塑料上方形成再分布层，所述再分布层电连接至所述多个第二接触焊盘和所述至少一个导电柱。

分案申请

本申请是2016年08月17日提交的标题为“芯片封装件及其制造方法”、专利申请号为201610677535.1的中国专利的分案申请。

技术领域

本发明实施例涉及芯片封装件的制造方法。

背景技术

在封装技术的方面，再分布层(RDL)可以形成在芯片上方并且电连接至芯片中的有源器件。然后诸如位于凸块下金属化(UBM)上的焊球的输入/输出(I/O)连接件可以形成以通过RDL电连接至芯片。这种封装技术的有利特征是形成扇出封装件的可能性。因此，可以再分布芯片上的I/O焊盘以覆盖比管芯更大的区域，并且因此可以增大封装在封装芯片的表面上的I/O焊盘的数量。

集成扇出(InFO)封装技术正变得越来越普遍，特别是当与晶圆级封装(WLP)技术组合时。这种产生的封装件结构提供高功能密度以及相对较低的成本和高性能的封装件。

发明内容

根据本发明的一个实施例，提供了一种芯片封装件，包括：再分布层；第一芯片，包括多个第一接触焊盘，所述多个第一接触焊盘面向所述再分布层；第二芯片，设置在所述第一芯片和所述再分布层之间，其中，所述第一芯片的部分设置在所述第二芯片的横向区间外部；以及导电通孔，与所述第二芯片横向分离，所述导电通孔在所述再分布层和所述多个第一接触焊盘的第一接触焊盘之间延伸，所述第一接触焊盘位于所述第一芯片的设置在所述第二芯片的横向区间外部的部分中。

根据本发明的另一实施例，还提供了一种芯片封装件，包括：彼此横向邻近的多个动态随机存取存储器芯片，所述多个动态随机存取存储器芯片的每个均具有设置在所述多个动态随机存取存储器芯片的每个的第一表面处的多个第一接触焊盘；附接至所述多个动态随机存取存储器芯片的所述第一表面的逻辑芯片，所述逻辑芯片具有设置在所述逻辑芯片的第一表面处的多个第二接触焊盘，其中，所述逻辑芯片的所述第一表面背向所述多个动态随机存取存储器芯片；多个第一导电柱，所述多个第一导电柱具有连接至所述逻辑芯片的所述多个第二接触焊盘的第一端部；再分布层，连接至所述多个第一导电柱的与所述第一端部相对的第二端部；以及与所述逻辑芯片横向分离的多个第二导电柱，所述多个第二导电柱在所述再分布层和第一组所述多个第一接触焊盘之间延伸，所述第一组所述多个第一接触焊盘设置在所述逻辑芯片的宽度的外部。

根据本发明的又一实施例，还提供了一种制造芯片封装件的方法，包括：将至少一个第一管芯放置在载体上方，所述至少一个第一管芯具有背向所述载体的多个第一接触焊盘；在所述多个第一接触焊盘的至少一个外围的接触焊盘上方形成至少一个导电柱；在所述至少一个第一管芯上方且横向邻近所述至少一个导电柱放置至少一个第二管芯，所述至少一个第二管芯具有背向所述载体的多个第二接触焊盘；将所述至少一个第一管芯、所述至少一个第二管芯和所述至少一个导电柱封装在模塑料中；以及在所述第二模塑料上方形成再分布层，所述再分布层电连接至所述多个第二接触焊盘和所述至少一个导电柱。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应当注意，根据工业中的标准实践，各个部件并非按比例绘制。事实上，为了清楚讨论，各个部件的尺寸可以任意增大或减小。

图1示出了根据实施例的多芯片封装件。