[发明专利]芯片封装件的制造方法

权利要求书

1.一种用于形成芯片封装件的方法，包括：

将至少一个第一管芯放置在载体上方，所述至少一个第一管芯具有背向所述载体的多个第一接触焊盘；

在所述多个第一接触焊盘的至少一个外围的接触焊盘上方形成至少一个导电柱；

在所述至少一个第一管芯上方且横向邻近所述至少一个导电柱放置至少一个第二管芯，所述至少一个第二管芯具有背向所述载体的多个第二接触焊盘；

将所述至少一个第一管芯、所述至少一个第二管芯和所述至少一个导电柱封装在模塑料中；以及

在所述模塑料上方形成再分布层，所述再分布层电连接至所述多个第二接触焊盘和所述至少一个导电柱。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括去除所述载体以及将散热器附接至所述至少一个第一管芯的背向所述再分布层的表面。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述至少一个导电柱包括镀工艺、溅射工艺、蒸发工艺或它们的组合。

4.一种用于形成芯片封装件的方法，包括：

将第一管芯的第一侧附接至载体，其中，所述第一管芯的相对的第二侧具有延伸的第一再分布层，并且具有在所述第一再分布层上的第一导电柱；

将第二管芯的第一侧附接至所述载体，使得所述第二管芯在横向上与所述第一管芯相邻，其中，所述第二管芯的相对的第二侧具有延伸的第二再分布层，并且具有在所述第二再分布层上的第二导电柱，其中，所述第一再分布层和所述第二再分布层彼此间隔开；

将第三管芯附接至所述第一管芯的第二侧和所述第二管芯的第二侧，其中，所述第三管芯的第一部分延伸到所述第一管芯的横向范围之外，并且所述第三管芯的第二部分延伸到所述第二管芯的横向范围之外；

在附接所述第一管芯、所述第二管芯和所述第三管芯后，将所述第一管芯、所述第二管芯和所述第三管芯，所述第一导电柱和所述第二导电柱嵌入模塑层中；以及

在所述模塑层上方形成第三再分布层，其中，所述第三再分布层电连接至所述第一导电柱，所述第二导电柱和所述第三管芯。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，在将所述第一管芯的第一侧附接至所述载体之前，在所述第一管芯的第二侧上形成所述第一再分布层和所述第一导电柱，并且，在将所述第二管芯的第一侧附接至所述载体之前，在所述第二管芯的第二侧上形成所述第二再分布层和所述第二导电柱。

6.一种形成半导体封装件的方法，所述方法包括：

将第一管芯和第二管芯附接至载体，所述第一管芯在横向上邻近所述第二管芯；

在所述第一管芯的第一接触焊盘上方形成第一导电柱，所述第一接触焊盘位于所述第一管芯的背离所述载体的上表面上；

在所述第二管芯的第二接触焊盘上方形成第二导电柱，所述第二接触焊盘位于所述第二管芯的背离所述载体的上表面上；

将第三管芯附接至所述第一管芯的上表面和所述第二管芯的上表面，其中，所述第一管芯和所述第二管芯延伸超出所述第三管芯的横向范围，其中，所述第三管芯具有位于所述第三管芯的第三接触焊盘上方的第三导电柱，其中，所述第三接触焊盘在所述第三管芯的背离所述载体的上表面上；

在单独工艺中，将模塑材料沉积在所述第一管芯、所述第二管芯、所述第三管芯、所述第一导电柱和所述第二导电柱周围；

使所述模塑材料凹进，其中，在所述凹进之后，所述模塑材料的上表面与所述第一导电柱的上表面、所述第二导电柱的上表面和所述第三导电柱的上表面平齐；以及

在所述第一导电柱、所述第二导电柱和所述第三导电柱上方形成第一再分布层，所述第一再分布层电连接至所述第一导电柱、所述第二导电柱和所述第三导电柱。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：在形成所述第一导电柱之前，在所述第一管芯的第一接触焊盘上方形成第二再分布层。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：在形成所述第二导电柱之前，在所述第二管芯的第二接触焊盘上方形成第三再分布层，其中，所述第二再分布层与所述第三再分布层分隔。