[发明专利]一种多层干膜制作喷墨头空腔和流道的方法在审
| 申请号： | 202110318483.X | 申请日： | 2021-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN113161235A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 陆安江;张孝宇 | 申请（专利权）人： | 苏州印科杰特半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/32 | 分类号： | H01L21/32 |
| 代理公司： | 成都明涛智创专利代理有限公司 51289 | 代理人： | 冷亚君 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家港市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多层 制作 喷墨 空腔 方法 | ||
1.一种多层干膜制作喷墨头空腔和流道的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S101，选择合适的硅圆片，清洗，烘干；
步骤S102，硅圆片作业通孔光刻和刻蚀；
步骤S103，硅圆片置于热板上贴第一干膜；
步骤S104，第一干膜作业光刻后图形化；
步骤S105，高温固化第一干膜；
步骤S106，带有第一干膜的硅圆片置于热板上并于第一干膜一侧贴第二干膜；
步骤S107，第二干膜作业光刻后图形化；
步骤S108，高温固化第二干膜。
2.根据权利要求1所述的多层干膜制作喷墨头空腔和流道的方法，其特征在于：所述步骤S105中和步骤S108中，高温固化为在170℃-200℃温度下，固化30分钟至90分钟。
3.根据权利要求1或2所述的多层干膜制作喷墨头空腔和流道的方法，其特征在于：所述步骤S105中和步骤S108中，高温固化为在180℃温度下，固化60分钟。
4.根据权利要求1所述的多层干膜制作喷墨头空腔和流道的方法，其特征在于：所述第一干膜和第二干膜皆为感光膜，感光膜厚度为5微米～50微米。
5.根据权利要求4所述的多层干膜制作喷墨头空腔和流道的方法，其特征在于：所述感光膜厚度为15微米～30微米。
6.根据权利要求5所述的多层干膜制作喷墨头空腔和流道的方法，其特征在于：所述感光膜厚度为15微米、20微米、25微米或30微米。
7.根据权利要求1所述的多层干膜制作喷墨头空腔和流道的方法，其特征在于：所述第一干膜至少设置一层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州印科杰特半导体科技有限公司，未经苏州印科杰特半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110318483.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
