[发明专利]半导体封装及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110314109.2 申请日: 2021-03-24
公开(公告)号: CN113078126A 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 黄启铭;黄炳刚;邱绍玲;侯上勇 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/48;H01L21/56
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 顾伯兴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制造 方法
【说明书】:

本公开提供一种半导体封装及其制造方法。半导体封装包括至少一个半导体管芯、中介层、模制化合物及连接件。中介层具有第一表面、与第一表面相对的第二表面及连接第一表面与第二表面的侧壁。所述至少一个半导体管芯设置在中介层的第一表面上且与中介层电连接。模制化合物设置在中介层之上且在侧向上包封所述至少一个半导体管芯。模制化合物在侧向上包绕在中介层周围且模制化合物至少与中介层的侧壁的一部分进行实体接触。连接件设置在中介层的第二表面上,且通过中介层而与所述至少一个半导体管芯电连接。

技术领域

发明实施例涉及一种半导体封装及其制造方法。

背景技术

对于多管芯封装,相对于经封装的半导体管芯而言封装材料的选择及布置已变成封装技术的重要问题且影响封装产品的可靠性。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体封装,包括:中介层、至少一个半导体管芯、模制化合物以及连接件。中介层具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面及连接所述第一表面与所述第二表面的侧壁。至少一个半导体管芯设置在所述中介层的所述第一表面上且与所述中介层电连接。模制化合物设置在所述中介层之上且在侧向上包封所述至少一个半导体管芯,其中所述模制化合物在侧向上包绕在所述中介层周围且所述模制化合物至少与所述中介层的所述侧壁的一部分进行实体接触。连接件设置在所述中介层的所述第二表面上,且通过所述中介层而与所述至少一个半导体管芯电连接。

本发明实施例提供一种半导体封装,包括:中介层、半导体管芯、模制化合物、电路衬底以及连接件。中介层具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面及连接所述第一表面与所述第二表面的侧壁。半导体管芯设置在所述中介层的所述第一表面上且与所述中介层电连接。模制化合物设置在所述中介层之上且在侧向上包封所述半导体管芯,其中所述模制化合物在侧向上包绕在所述中介层周围且所述模制化合物的一部分与所述中介层的所述侧壁进行实体接触。电路衬底设置在所述中介层下方且与所述至少一个管芯电连接。连接件设置在所述中介层的所述第二表面与所述电路衬底之间。

本发明实施例提供一种半导体封装的制造方法,包括:提供中介层;提供半导体管芯且将所述半导体管芯结合到所述中介层的安装表面;在所述中介层中形成预切割道;在所述中介层之上形成模制化合物以包封所述半导体管芯,从而形成模制结构;以及通过经由所述预切割道切穿所述模制化合物来对所述模制结构执行单体化工艺,以形成各别的半导体封装。

附图说明

本文包括附图以提供对本公开的进一步理解,且所述附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。图式例示出本公开的示例性实施例,且与本说明一起用于阐释本公开的原理。

图1到图8是例示根据本公开一些实施例的在半导体封装的制造方法中各个阶段形成的结构的示意性剖视图。

图9是根据本公开一些实施例的半导体封装的示意性仰视图。

图10是例示根据本公开一些实施例的连接到电路衬底的半导体封装的示意性剖视图。

图11到图15是例示根据本公开一些实施例的一些半导体封装的部分的示意性剖视图。

图16是根据本公开一些实施例的半导体封装的示意性仰视图。

图17到图22是例示根据本公开一些实施例的在半导体封装的制造方法中各个阶段形成的结构的示意性剖视图。

图23到图24是例示在根据本公开一些实施例的半导体封装的另一种制造方法之后形成的结构的示意性剖视图。

具体实施方式

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