[发明专利]一种太赫兹自旋发射器及制备方法在审
| 申请号： | 202110312727.3 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113093318A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 吴晓君;刘少杰;郭丰玮;李培炎 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;G02B1/00;H01S1/02 |
| 代理公司： | 北京航智知识产权代理事务所(普通合伙) 11668 | 代理人： | 黄川;史继颖 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 赫兹 自旋 发射器 制备 方法 | ||
1.一种太赫兹自旋发射器，其特征在于，包括激光发射器和太赫兹自旋发射件，所述太赫兹自旋发射件包括衬底、制备在所述衬底上的纳米异质结以及覆盖在所述纳米异质结表面的金纳米材料；所述激光发射器发射的激光的波长与所述金纳米材料的共振峰相等。
2.根据权利要求1所述的太赫兹自旋发射器，其特征在于，所述金纳米材料呈球形或棒形。
3.根据权利要求1或2所述的太赫兹自旋发射器，其特征在于，所述纳米异质结为铁磁/非铁磁两层纳米结构。
4.根据权利要求1或2所述的太赫兹自旋发射器，其特征在于，所述纳米异质结为非铁磁/铁磁/非铁磁三层纳米结构。
5.根据权利要求4所述的太赫兹自旋发射器，其特征在于，所述非铁磁/铁磁/非铁磁三层纳米结构包括W|CoFeB|Pt三层纳米结构。
6.一种根据权利要求1-5任一项所述的太赫兹自旋发射器的制备方法，其特征在于，包括步骤：使用移液枪吸取水溶性金纳米材料溶液，滴加在所述纳米异质结表面上；等待水溶液自然蒸发后，制备得到所述太赫兹自旋发射件。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，将所述水溶性金纳米材料溶液分多次滴加在所述纳米异质结表面上，且每次滴加的位置重合。
8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述水溶性金纳米材料溶液为水溶性金纳米棒溶液。
9.根据权利要求6-8任一项所述的方法，其特征在于，在水溶液自然蒸发时，保证所述太赫兹自旋发射件受热均匀。
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