[发明专利]制造半导体器件的方法、仿形晶圆

说明书

本申请提供了一种制造半导体器件的方法、仿形晶圆。该制造半导体器件的方法包括：将仿形晶圆的粘接面与所述待加工晶圆的第一面通过胶层粘接；在所述待加工晶圆的与所述第一面相对的第二面，基于待加工的晶圆形成多个半导体器件；去除所述胶层以从所述待加工晶圆剥离所述仿形晶圆；以及分割所述待加工晶圆以使所述多个半导体器件相互分离。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，更具体的，涉及一种制造半导体器件的方法，一种仿形晶圆。

背景技术

在半导体领域，晶圆(wafer)是最重要的一种初级产品。半导体厂商基本都要基于晶圆来制造各种类型的半导体器件。

晶圆通常是由拉制的晶棒切片而成，因此晶圆在被制造出的过程中可能具有应力。更重要的是，在晶圆上制造半导体器件时，随着各种结构、叠层的不断制造。这些结构产生的应力作用在晶圆上，进而晶圆在各种应力因素的影响下产生了弯曲(bow)。

使用这样弯曲的晶圆继续制造半导体器件会造成尺寸偏差，形态变化等不良后果。因此需要尽可能的降低晶圆的弯曲，进而使用平整的晶圆来继续制造半导体器件，并且期望克服制造半导体器件的过程中晶圆的弯曲。

发明内容

本申请的实施例提供了一种制造半导体器件的方法，该方法包括：将仿形晶圆的粘接面与待加工晶圆的第一面通过胶层粘接；在所述待加工晶圆的与所述第一面相对的第二面基于所述待加工晶圆形成多个半导体器件；去除所述胶层以从所述待加工晶圆剥离所述仿形晶圆；以及分割所述待加工晶圆以使所述多个半导体器件相互分离。

在一个实施方式中，所述仿形晶圆包括与所述粘接面相对的图形面，所述仿形晶圆在所述图形面包括沿第一方向延伸的图形化结构，以增加所述仿形晶圆在所述第一方向上的抗弯强度，其中，所述第一方向为与形成的所述半导体器件的应力弯曲方向平行的方向。

在一个实施方式中，所述图形化结构包括多条并列的直线沟槽。

在一个实施方式中，所述粘接的步骤包括：在所述待加工晶圆的第一面涂胶形成所述胶层；以及将所述仿形晶圆的粘接面贴合于所述胶层以与所述胶层粘接。

在一个实施方式中，所述仿形晶圆的材质为透光材质，其中，去除所述胶层以从所述待加工晶圆剥离所述仿形晶圆的步骤包括：通过光照使得所述胶层失去粘性以使得所述待加工晶圆从所述仿形晶圆剥离。

在一个实施方式中，所述仿形晶圆的材质为石英。

在一个实施方式中，仿形晶圆的外周尺寸大于或等于所述待加工晶圆的外周尺寸。

在一个实施方式中，方法还包括：酸洗所述分离出的待加工晶圆和半导体器件。

在一个实施方式中，所述待加工晶圆包括：衬底、设置于所述衬底上的第一掩模层、设置于所述第一掩模层上的多个并列延伸的墙形结构以及贴敷于所述多个墙形结构的第二掩模层，其中，所述粘接的步骤包括：将所述墙形结构在所述第一掩模层上设置成使得所述墙形结构的延伸方向与所述第一方向垂直；以及基于所述待加工晶圆形成所述半导体器件的步骤包括：基于所述第二掩模层形成多对设置于所述墙形结构两侧的侧墙；通过所述多对侧墙刻蚀所述第一掩模层以获得掩模图形；以及通过所述掩模图形刻蚀所述衬底。

第二方面，本申请的实施例提供了一种仿形晶圆，该仿形晶圆包括：本体；粘接面，位于所述本体的一侧，适于与待加工晶圆粘接；以及图形面，位于所述主体的与所述粘接面相对的一侧，包括沿第一方向延伸的图形化结构，以增加所述本体在所述第一方向上的抗弯强度。

在一个实施方式中，所述本体的材质为透光材质。

在一个实施方式中，所述本体的材质为石英。

在一个实施方式中，所述仿形晶圆的外周尺寸大于或等于所述待加工晶圆的外周尺寸。