[发明专利]制造半导体器件的方法、仿形晶圆

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于，所述方法包括：

将仿形晶圆的粘接面与待加工晶圆的第一面通过胶层粘接，其中，所述仿形晶圆包括与所述粘接面相对的图形面；所述仿形晶圆在所述图形面包括沿第一方向延伸的图形化结构，以增加所述仿形晶圆在所述第一方向上的抗弯强度；

在所述粘接的步骤后，在所述待加工晶圆的与所述第一面相对的第二面，基于所述待加工晶圆形成多个半导体器件，第一方向平行于所述半导体器件的应力弯曲方向；

去除所述胶层以从所述待加工晶圆剥离所述仿形晶圆；以及

分割所述待加工晶圆以使所述多个半导体器件相互分离。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图形化结构包括多条并列的直线沟槽。

3.根据权利要求1所述的方法，所述仿形晶圆的材质为透光材质，其中，去除所述胶层以从所述待加工晶圆剥离所述仿形晶圆的步骤包括：

通过光照使得所述胶层失去粘性以使得所述待加工晶圆从所述仿形晶圆剥离。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述仿形晶圆的材质为石英。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述仿形晶圆的外周尺寸大于或等于所述待加工晶圆的外周尺寸。

6.根据权利要求1所述的方法，所述待加工晶圆包括：衬底、设置于所述衬底上的第一掩模层、设置于所述第一掩模层上的多个并列延伸的墙形结构以及贴敷于所述多个墙形结构的第二掩模层，其中，

所述粘接的步骤包括：将所述墙形结构在所述第一掩模层上设置成使得所述墙形结构的延伸方向与所述第一方向垂直；以及

基于所述待加工晶圆形成所述半导体器件的步骤包括：

基于所述第二掩模层形成多对设置于所述墙形结构两侧的侧墙；

通过所述多对侧墙刻蚀所述第一掩模层以获得掩模图形；以及

通过所述掩模图形刻蚀所述衬底。

7.一种仿形晶圆，其特征在于，包括：

本体；

粘接面，位于所述本体的一侧，适于与待加工晶圆粘接；以及

图形面，位于所述本体的与所述粘接面相对的一侧，包括沿第一方向延伸的图形化结构，以增加所述本体在所述第一方向上的抗弯强度，所述第一方向为与基于所述待加工晶圆形成的半导体器件的应力弯曲方向平行的方向。

8.根据权利要求7所述的仿形晶圆，其中，所述本体的材质为透光材质。

9.根据权利要求8所述的仿形晶圆，其中，所述本体的材质为石英。

10.根据权利要求7所述的仿形晶圆，其中，所述仿形晶圆的外周尺寸大于或等于所述待加工晶圆的外周尺寸。

11.根据权利要求7所述的仿形晶圆，其中，所述图形化结构包括多条并列的直线沟槽。