[发明专利]交变磁场监测测量装置及系统

说明书

本申请涉及交变磁场监测测量装置及系统，具体而言，涉及交变磁场的测量领域。本申请提供的交变磁场监测测量装置包括：第一光纤、第二光纤、第一磁性条、第二磁性条、第一热膨胀部、第二热膨胀部和基底；第一磁性条和第二磁性条会在交变磁场作用下产生热量，又由于第一热膨胀部和第二热膨胀部设置在第二光纤与第一光纤之间，则当第一磁性条和第二磁性条在在交变磁场的作用下产生热量的时候，第一热膨胀部和第二热膨胀部吸收热量后发生膨胀，进而使得第一光纤和第二光纤形变，从而改变第一光纤和第二光纤的透射率，进而根据第一光纤和第二光纤的透射率改变情况与待测交变磁场的强度的对应关系，得到待测交变磁场的强度。

技术领域

本申请涉及交变磁场的测量领域，具体而言，涉及交变磁场监测测量装置及系统。

背景技术

交变磁场就是交变电流产生的交变磁场。交变磁场的大小和方向都会随着时间按照一定的规律变化。

现有技术中，对交变磁场的测量是通过示波器或者电流检测装置对交变磁场进行测量。

但是，由于交变测量的变化的特性，使得现有技术中的测量技术，均误差对交变磁场进行准确的描述与测量。

发明内容

本发明的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种交变磁场监测测量装置及系统，以解决现有技术中由于交变测量的变化的特性，使得现有技术中的测量技术，均误差对交变磁场进行准确的描述与测量的问题。

为实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

第一方面，本申请提供一种交变磁场监测测量装置，装置包括：第一光纤、第二光纤、第一磁性条、第二磁性条、第一热膨胀部、第二热膨胀部和基底；第一光纤设置在基底的一侧，第一磁性条设置在第一光纤的外壁上，第二光纤为弯折光纤，第二光纤的形状为“U”形，“U”形的第二光纤的底部与第一光纤远离基底一侧的面相切设置，第二磁性条设置在第二光纤的外壁上，第一热膨胀部和第二热膨胀部设置在第一光纤和第二光纤之间，且第一热膨胀部和第二热膨胀部均设置在“U”形的第二光纤的两侧，用于支撑第二光纤，且第一热膨胀部和第二热膨胀部靠近“U”形的第二光纤的底部的高度低于远离“U”形的第二光纤的底部的高度。

可选地，该装置还包括金属颗粒层，金属颗粒层设置在第一光纤靠近第二光纤的一侧。

可选地，该金属颗粒层的材料为贵金属材料。

可选地，该金属颗粒层的材料为金、银、钌、铑、钯、锇、铱、铂中至少一种。

可选地，该第一热膨胀部和第二热膨胀部均包括多个条形结构。

可选地，该装置还包括第三热膨胀部，第三热膨胀部设置在第二光纤远离第一光纤的一侧，且第三热膨胀部在基底上的投影远离第一热膨胀部和第二热膨胀部在基底上的投影。

可选地，该第一热膨胀部、第二热膨胀部和第三热膨胀部的材料均为Fe3O4。

第二方面，本申请提供一种一种交变磁场监测测量系统，系统包括：第一光源、第二光源、第一光谱仪、第二光谱仪、计算机和第一方面任意一项的交变磁场监测测量装置，第一光源和第一光谱仪分别设置在交变磁场监测测量装置中的第一光纤的两侧，第二光源和第二光谱仪分别设置在交变磁场监测测量装置中的第二光纤的两侧，计算机分别与第一光谱仪和第二光谱仪连接，用于获取第一光谱仪和第二光谱仪检测的第一光纤和第二光纤的输出光信号的光谱，并根据输出光信号的光谱得到第一光纤和第二光纤的透射率改变情况，并根据第一光纤和第二光纤的透射率改变情况与待测交变磁场的强度的对应关系，得到待测交变磁场的强度。

本发明的有益效果是：