[发明专利]显示装置、显示面板、驱动背板及其制造方法有效
申请号: | 202110309173.1 | 申请日: | 2021-03-23 |
公开(公告)号: | CN113066805B | 公开(公告)日: | 2023-01-10 |
发明(设计)人: | 刘冬妮;玄明花;郑皓亮;陈亮;肖丽;韩承佑;陈昊;赵蛟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L33/62;H01L25/075;H01L21/77 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 显示 面板 驱动 背板 及其 制造 方法 | ||
本公开关于显示装置、显示面板、驱动背板及其制造方法,涉及显示技术领域。本公开的显示面板包括衬底、第一导电层、第一栅绝缘层、有源层、第二栅绝缘层、第二导电层、层间介质层、孔状结构和源漏层。第一导电层设于衬底一侧且包括第一栅极、第一绑定部和第二绑定部;第一栅绝缘层覆盖第一导电层;有源层设于第一栅绝缘层背离衬底的表面;第二栅绝缘层覆盖有源层和第一栅绝缘层;第二导电层设于第二栅绝缘层背离衬底的表面且包括第二栅极,第二栅极与第一栅极连接;层间介质层设于第二导电层背离衬底的一侧;孔状结构贯露出所述衬底,第一绑定部和所述第二绑定部均位于所述孔状结构内;源漏层设于层间介质层背离衬底的表面且包括源极和漏极。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种显示装置、显示面板、驱动背板及驱动背板的制造方法。
背景技术
目前,采用微米量级尺寸的LED(发光二极管)直接作为发光单元来显示图像的显示面板已经成为研究热点,微米量级尺寸的LED可以包括小于100μm的Micro LED,和尺寸在100μm-300μm之间Mini LED。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
本公开的目的在于克服上述现有技术的不足,提供一种显示装置、显示面板、驱动背板及其制造方法,可简化工艺。
根据本公开的一个方面,提供一种驱动背板,包括:
衬底;
第一导电层,设于所述衬底一侧,且包括间隔设置的第一栅极、第一绑定部和第二绑定部;所述第一栅极包括第一区域;
第一栅绝缘层,覆盖所述第一导电层;
有源层,设于所述第一栅绝缘层背离所述衬底的表面,且所述有源层在所述衬底上的正投影与所述第一区域在所述衬底上的正投影存在交叠;
第二栅绝缘层,覆盖所述有源层和所述第一栅绝缘层;
第二导电层,设于所述第二栅绝缘层背离所述衬底的表面,且包括第二栅极,所述第二栅极在所述第一栅绝缘层上的正投影位于所述有源层的范围内,且所述第二栅极与所述第一栅极连接;
层间介质层,设于所述第二导电层背离所述衬底的一侧;
孔状结构,贯穿所述层间介质层、所述第二栅绝缘层和所述第一栅绝缘层,且露出所述衬底,所述第一绑定部和所述第二绑定部均位于所述孔状结构内;
源漏层,设于所述层间介质层背离所述衬底的表面,且包括源极和漏极,所述源极和所述漏极连接于所述有源层的两端;所述源极或所述漏极与所述第一绑定部连接。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一导电层还包括多个信号线,至少一所述信号线与所述源漏层连接,至少一所述信号线与所述第二绑定部连接,且所述源漏层和所述第二绑定部连接于不同的所述信号线。
在本公开的一种示例性实施例中,所述第一栅极还包括第二区域;所述第二导电层还包括:
转接部,所述转接部在所述衬底上的正投影与所述第二区域在所述衬底上的正投影存在交叠;所述转接部与所述第二栅极连接,所述第二区域与所述转接部连接。
在本公开的一种示例性实施例中,所述驱动背板还包括电容层;
所述层间介质层包括:
第一介质层,覆盖所述第二导电层和所述第二栅绝缘层;所述电容层设于所述第一介质层背离所述衬底的表面,且所述电容层与所述第二栅极之间形成电容;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110309173.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种多层堆叠微系统结构
- 下一篇:一种用于水果种植的肥料制备装置及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的