[发明专利]一种超薄芯片的拿取方法

说明书

本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种超薄芯片的拿取方法。本发明采用载片作为支撑材料，用临时键合的方式把待减薄硅片跟载片键合在一起，把待减薄硅片厚度减薄到100μm以下，然后通过干法刻蚀或者切割工艺把已减薄硅片做成单一芯片，把临时键合在载板晶圆上的芯片用网状胶带粘贴，然后通过去临时键合药水浸泡，使芯片跟载板晶圆分离，得到粘有网状胶带的芯片，通过加热或者UV照射解除网状胶带粘性，通过吸嘴吸取超薄芯片，完成超薄芯片的拿取过程。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种超薄芯片的拿取方法。

背景技术

随着终端产品的更轻、更薄，终端产品对芯片的尺寸和厚度也要求越来越严格，尤其是一些超薄终端产品，就需要非常薄的芯片。同时对于一些多层堆叠模组来说，更薄的芯片也意味着能把模组做到更薄、更轻，这些对于一些宇航类产品及可穿戴产品来说，能提供较大的优势。

但是因为芯片本身材质较脆，现在能够单独被拿取的芯片一般都超过100微米厚度，再薄的话，用现有的胶带做支撑材料的工艺，在晶圆减薄、切割和捡取步骤就会有碎裂的风险。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于针对现有技术的不足，提供了一种超薄芯片的拿取方法。本发明采用载片做支撑材料，用临时键合的方式把待减薄硅片跟载片键合在一起，然后把待减薄硅片厚度减薄到100μm以下，然后通过干法刻蚀或者切割工艺把已减薄硅片做成单一芯片，把临时键合在载板晶圆上的芯片用网状胶带粘贴，然后通过去临时键合药水浸泡，使芯片跟载板晶圆分离，得到粘有芯片的网状胶带，通过加热或者UV照射，使网状胶带粘性失活，通过吸嘴吸取超薄芯片，完成超薄芯片的拿取过程。

为解决现有技术的不足，本发明采用以下技术方案：一种超薄芯片的拿取方法，包括以下步骤：

一种超薄芯片的拿取方法，包括以下步骤：

A：在硅片表面形成若干有源器件，把所述硅片的待减薄面朝下贴在载片上实现二者的键合，键合后对硅片背面做减薄处理；

B：将步骤A中的硅片分割成多个芯片，将网格胶带贴在芯片表面，然后把分割后的硅片整体浸入解键合药液中浸泡；

C：待芯片跟载片分开后，通过网格胶带整体移除芯片；

D：去除网格胶带的粘性，得到单一的芯片。

进一步地，所述硅片和/或载片采用晶圆、玻璃、石英、碳化硅、氧化铝、环氧树脂或聚氨酯制成，厚度为1-2000 μm。

进一步地，所述硅片和载片键合时采用键合胶进行临时键合，键合胶厚度为1-100μm。

进一步地，所述芯片的厚度为1-100 μm。

进一步地，所述单个芯片上至少包含有一个有源器件。

进一步地，所述芯片的尺寸为0.05-50 mm，相邻芯片之间的距离为10-500 μm。

进一步地，所述网格胶带是塑料材质或金属材质，其表面胶体能够通过加热或者UV照射的方式解除粘性。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

本发明采用载片做支撑材料，用临时键合的方式把待减薄硅片跟载片键合在一起，然后把待减薄硅片厚度减薄到100 μm以下，然后通过干法刻蚀或者切割工艺把已减薄硅片做成单一芯片，把临时键合在载板晶圆上的芯片用网状胶带粘贴，然后通过去临时键合药水浸泡，使芯片跟载板晶圆分离，得到粘有网状胶带的芯片，通过加热或者UV照射解除网状胶带粘性，通过吸嘴吸取超薄芯片，完成超薄芯片的拿取过程。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。